FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.6A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 35 毫欧 @ 5A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.6nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 369pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 700mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | TSOT-26 |
产品名称: DMN2053UVT-13
品牌: DIODES(美台)
封装形式: TSOT-26
器件类型: N-通道双MOSFET
DMN2053UVT-13是一款高效的N-通道双MOSFET,专为多种高效能和紧凑型电路应用而设计。其具有较低的导通电阻和优越的热管理能力,适合用于开关电源、电子电机驱动及其他功率控制应用场景。该器件的广泛适应性和可靠性,使其成为当今电子设计中的优选解决方案。
DMN2053UVT-13广泛应用于以下领域:
DMN2053UVT-13采用TSOT-26封装,适合于自动化贴片工艺。设计时,应确保焊盘设计符合器件规格,以保证良好的热传导和电连接。在使用时还应考虑与外围元件的布局,以减少电磁干扰 (EMI) 并提高电路的稳定性。
DMN2053UVT-13是一款高性能的N-通道双MOSFET,结合了出色的电气特性、可靠性和灵活的应用场景。这些特性使得DMN2053UVT-13成为现代电子设备设计中的理想选择,无论是在功率管理还是信号切换应用中,与DIODES(美台)品牌所代表的高质量和信任度相得益彰。无论是新产品开发还是现有产品升级,DMN2053UVT-13都能够满足高效能和高可靠性的要求,助力电子设计的成功实施。