MMDT2222V-7 产品实物图片
MMDT2222V-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMDT2222V-7

商品编码: BM0177321893
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
0.012g
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 40V 600mA NPN SOT-563
库存 :
5978(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.893
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.893
--
200+
¥0.616
--
1500+
¥0.559
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMDT2222V-7参数

晶体管类型2 NPN(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)40V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)10nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值150mW频率 - 跃迁300MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-563

MMDT2222V-7手册

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MMDT2222V-7概述

MMDT2222V-7 产品概述

一、产品简介

MMDT2222V-7是一款高性能NPN型双极晶体管(BJT),采用SOT-563表面贴装封装,特别设计用于应用于需要高频、高增益和低饱和压降的电路中。该器件充分发挥其600mA的集电极电流(Ic)能力及40V的集射极击穿电压(Vce),适合用于多种电子设备中,从开关电源到信号放大电路,广泛应用于消费电子、工业控制、通信等领域。

二、关键特性

  1. 电流和电压能力
    MMDT2222V-7支持的最大集电极电流为600mA和最大集射极击穿电压为40V,确保其在多种负载条件下稳定工作。此外,其集电极截止电流(ICBO)仅为10nA,表明该晶体管在关闭状态下表现出极低的泄漏电流,有助于提高整体电子电路的效能。

  2. 饱和压降
    当Ic为50mA和500mA时,Vce的饱和压降最大仅为1V。这一特性在高频切换应用中尤为重要,能够在快速打开和关闭期间降低功耗,从而增加系统效率。

  3. 高增益特性
    MMDT2222V-7在150mA、10V的条件下,具备至少100的直流电流增益(hFE),能够保证信号的有效放大,使其在放大和开关应用中表现出色。

  4. 频率响应
    此器件的跃迁频率为300MHz,为快速开关和放大应用提供了支持,使其非常适用于高频信号处理领域。

  5. 宽工作温度范围
    MMDT2222V-7的工作温度范围为-55°C至150°C,适合于温度变化较大的应用环境,保证其在恶劣条件下的稳定性和可靠性。

  6. 紧凑封装
    采用小型SOT-563封装,MMDT2222V-7特别适合于空间受限的电子布局,能够满足现代高密度电路设计的需求。

三、应用场景

MMDT2222V-7在多个领域都表现出了良好的应用前景:

  • 消费电子:在便携式音频设备、智能手机、平板电脑等产品中,用于信号放大和开关控制。
  • 通信设备:在无线电、基站和其他通信设备中,负责高频信号的处理和功率放大。
  • 工业控制:用于各种传感器、驱动电路以及电机控制等工业设备中,确保能够快速响应和精确控制。
  • 汽车电子:适用于汽车中的信号放大和开关控制,例如在车载娱乐系统和智能驾驶辅助系统中。

四、总结

总之,MMDT2222V-7是一款功能强大且适用范围广泛的NPN双极晶体管,凭借其优异的性能、低功耗和高频特性,为设计工程师提供了可靠的解决方案。在开发新型电子产品时,该器件能够帮助实现更高的性能、更强的耐用性及更低的能耗,是现代电子系统设计中的理想选择。无论是在消费电子还是工业领域,MMDT2222V-7都表示出卓越的价值,将持续推动电子工程的创新和发展。