DMC2990UDJQ-7
DMC2990UDJQ-7参数
| FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 450mA（Ta），310mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 350mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-963 |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
DMC2990UDJQ-7手册
DMC2990UDJQ-7概述
DMC2990UDJQ-7 产品概述
DMC2990UDJQ-7 是一款由美台（DIODES）公司制造的高性能场效应管 (MOSFET)，其采用了先进的互补型 N 沟道与 P 沟道设计，具有出色的电气特性和广泛的应用范围。这款 MOSFET 在封装形式上采用 SOT-963，专为表面贴装设计，使其在空间受限的应用中表现出色。同时，其工作温度范围为 -55°C 到 150°C，能够适应各种严苛的环境条件。
主要规格
FET 类型：DMC2990UDJQ-7 包含一个 N 沟道和一个 P 沟道 FET，这种互补型设计使得其在驱动性能、功率效率和热管理方面具有显著优势。
漏源电压 (Vds)：该器件的最大漏源电压为 20V，适合用于低压和中等压的电源管理、电机驱动等应用。
连续漏极电流 (Id)：在 25°C 时，N 沟道的连续漏极电流为 450mA，P 沟道为 310mA，表明其在中等负载条件下的可靠性和稳定性，适用于多种电流要求的电路设计。
导通电阻 (Rds(on))：在不同的 Id 和 Vgs 条件下，导通电阻分别为 990 毫欧和 1.9 欧姆（均在 100mA 和 4.5V 情况下测得）。较低的导通电阻意味着设备在工作时能够更有效地限制功率损耗，减少热量产生。
栅极阈值电压 (Vgs(th))：该器件的最大栅极阈值电压为 1V（在 250µA 测量下），这使得其在低电压环境下也能正常工作，从而适应现代电子设备的低功耗需求。
栅极电荷 (Qg)：栅极电荷的最大值在 4.5V 时为 0.5nC 和 0.4nC，标明该 MOSFET 在开关时的速度特性良好，这点在高频开关电源和驱动电路中尤为重要。
输入电容 (Ciss)：Ciss 在 15V 下的最大值为 27.6pF 和 28.7pF，较低的输入电容意味着该 MOSFET 可以在高频操作中保持较快的开关速度，有助于有效提升电路的效率。
功率处理能力：最大功率为 350mW（在 25°C 时），这一特性确保了而其能够承受一定的功率负荷而不出现失效，适合于各种电子产品的集成设计。
应用场景
DMC2990UDJQ-7 由于其优异的电气特性和灵活的应用能力，适用于以下几个主要领域：
电源管理：可以用于高效的开关电源、DC-DC 转换器、线性稳压器等，对功率转换效率的提高有显著作用。
电机驱动：在小型电机控制领域，比如风扇、伺服电机等，该器件可提供稳定的驱动性能。
汽车电子：其宽广的工作温度范围使得 DMC2990UDJQ-7 非常适合用于汽车的电源管理系统及电池管理系统。
通讯设备：适用于各种通讯设备的功率放大和开关电路，满足高频及低功耗的需求。
便携式设备：由于其小型化和高效能，DMC2990UDJQ-7 能够广泛应用于手机、平板电脑及其他便携式电子设备中，提升设备的续航能力。
结论
综上所述，DMC2990UDJQ-7 作为一款具有高性能、高效率和可靠性的 MOSFET，不仅满足了现代电子工业对元器件的严苛要求，也为设计师在多种应用场景中提供了优秀的解决方案。无论是在电源管理、自动化控制还是其他领域内，DMC2990UDJQ-7 都是一个值得考虑的优质元件。