类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 12V | 电压 - 击穿(最小值) | 13.3V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 19.9V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 30.2A |
功率 - 峰值脉冲 | 600W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
供应商器件封装 | SMB(DO-214AA) |
1. 概述
SMBJ12AQ-13-F是一款高性能的TVS(瞬态电压抑制器)二极管,专为保护电子设备免受瞬态过电压冲击而设计。作为齐纳二极管,其具有优异的电压钳位特性和高速响应能力,使其在多种应用领域中扮演着重要角色。此器件由知名电子元器件制造商DIODES(美台)提供,采用SMB(DO-214AA)封装,使其适用于表面贴装技术(SMT)。
2. 关键参数
3. 应用领域
SMBJ12AQ-13-F适用于广泛的应用场景,尤其是在高压瞬态保护方面。其典型应用包括:
4. 设计特性
5. 安装与封装
SMBJ12AQ-13-F采用SMB封装,符合表面贴装工艺,具有良好的焊接性能和机械强度。其小巧的体积使其适合于空间受限的应用场合,同时保证了良好的散热性能,确保器件在高负荷下仍然能够有效运行。
6. 结论
SMBJ12AQ-13-F作为一款高效的瞬态电压抑制器,为各种电子设备提供了优越的过压保护解决方案。凭借其高击穿电压、高峰值脉冲承受能力和优良的工作温度范围,SMBJ12AQ-13-F在现代电子设计中无疑是一个理想的选择。无论是在电源保护、通信设备、汽车电子还是消费电子领域,选用SMBJ12AQ-13-F都将为您的设计增添一份可靠的安全保障。