DMMT3904WQ-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMMT3904WQ-7-F

商品编码: BM0177321842
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 40V 200mA NPN SOT-363
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.922
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.922
--
200+
¥0.635
--
1500+
¥0.577
--
3000+
¥0.54
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMMT3904WQ-7-F参数

晶体管类型2 NPN(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)40V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 10mA,1V功率 - 最大值200mW
频率 - 跃迁300MHz工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

DMMT3904WQ-7-F手册

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DMMT3904WQ-7-F概述

DMMT3904WQ-7-F 产品概述

1. 产品简介

DMMT3904WQ-7-F是一款高性能的NPN型晶体管,其设计方案以优越的电气特性和高可靠性为核心目标。该元器件适用于多种电子电路,尤其是在低功率应用中表现出色。采用SOT-363封装,使得DMMT3904WQ-7-F特别适合于空间受限的电路设计。

2. 主要参数

  • 晶体管类型:NPN (双)
  • 最大集电极电流 (Ic):200mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vceo):40V
  • 饱和压降 (Vce(sat)):300mV @ Ic = 5mA; 50mA
  • 直流电流增益 (hFE):最小值为100,测试条件下Ic = 10mA,Vce = 1V
  • 功率耗散 (Pd):最大值为200mW
  • 工作频率:300MHz
  • 工作温度范围:-65°C 至 150°C (TJ)

3. 封装特性

DMMT3904WQ-7-F采用SOT-363表面贴装封装,体积小巧,适合自动化生产。该封装不仅能够提升生产效率,还能在保证性能的前提下节省电路板的空间,使得更复杂的电路设计变得可行。

4. 应用领域

该型号晶体管广泛应用于各类电子设备中,例如:

  • 小型音频放大器
  • 开关电路
  • 驱动电路
  • RF放大器
  • 低功耗功率管理
  • 通信设备

其优越的频率响应和稳定性,使得DMMT3904WQ-7-F非常适合用于高速开关及放大电路,进一步增强了其在现代电子应用中的重要性。

5. 性能优势

  • 高电流增益:在较小的输入电流下,可以管理更高的集电极电流,非常适合放大应用。
  • 低饱和压降:在负载较大的环境中能有效降低功耗,提升整体电路效率。
  • 宽广的工作温度范围:使得该元件在极端环境中仍保持良好性能,满足各种工业以及机械应用的需求。
  • 良好的频率特性:提升了该元件在高频开关及信号放大应用中的表现。

6. 典型电路应用

DMMT3904WQ-7-F的使用场景通常可通过以下两种电路模式进行说明:

  • 放大电路:在模拟信号处理的场合,利用较小的输入信号控制较大的输出信号。
  • 开关电路:在数字电路中,通过基极控制实现集电极到发射极的导通与切断,实现数字高低电平的转换。

7. 采购与供应

DMMT3904WQ-7-F元器件由DIODES(美台)公司生产,其产品可通过多个电子元器件分销商获取。这款晶体管因其优秀的性能及可靠性,已被广泛认可,并在全球市场得到积极应用。

8. 结论

DMMT3904WQ-7-F是一款集高性能、小型化及广泛适用性于一体的NPN型晶体管。其特点使其成为任何高度集成电子设计的理想选择,无论在通信、音频放大还是其他电子应用领域,DMMT3904WQ-7-F的表现均不容小觑。随着技术的不断发展与进步,该款晶体管必将在未来的电子设备中继续发挥出色的作用。