DSS4160DS-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DSS4160DS-7

商品编码: BM0177321836
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT26
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
三极管(BJT) 700mW 60V 1A NPN SOT-26
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.11
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.11
--
200+
¥0.857
--
1500+
¥0.745
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DSS4160DS-7参数

晶体管类型2 NPN(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)60V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1A,5V
功率 - 最大值700mW频率 - 跃迁220MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-23-6供应商器件封装SOT-26

DSS4160DS-7手册

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DSS4160DS-7概述

DSS4160DS-7产品概述

产品概述 DSS4160DS-7是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能NPN型双极晶体管(BJT),它具有卓越的电流承载能力和相对较高的工作频率,广泛应用于各种电子电路和设备中。这款晶体管的设计旨在满足多种现代电子应用的需求,适合用于开关、电流放大以及其他线性应用。

主要特性

  • 晶体管类型:NPN(双)
  • 集电极电流(Ic)最大值:1A,能够支持高负载的应用。
  • 集射极击穿电压(最大值):60V,这保证了器件在高压环境下的稳定性与安全性。
  • Vce饱和压降(最大值):250mV @ 100mA 和 1A,低饱和压降有利于提高电路效率,减少功耗。
  • 集电极截止电流(最大值):100nA(ICBO),确保在关断状态下电流非常微小,从而降低功耗。
  • DC电流增益(hFE最小值):100 @ 1A,5V,保证了其在放大电流时的有效性。
  • 功率最大值:700mW,这使得器件能够在较高功率条件下稳定工作。
  • 频率跃迁:220MHz,适合用于高频信号处理的应用。
  • 工作温度范围:-55°C至150°C(TJ),使得该器件适用于恶劣环境。
  • 安装类型:表面贴装型(SMD),便于在现代小型化电路板上的部署。
  • 封装类型:SOT-26,适合多种紧凑型应用。

应用领域 DSS4160DS-7广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 开关电源:可作为开关元件,驱动负载并控制电流流动。
  2. 音频放大器:在音频信号放大中具有良好的线性特性。
  3. 高频调制解调:由于其高频特性,适合用于无线通信设备。
  4. 传感器信号处理:在传感器输出信号放大或转换中表现优异。
  5. 汽车电子:在汽车电子控制设备中应用广泛,能够在高温和高压条件下稳定工作。

设计注意事项 在设计电路时,使用DSS4160DS-7时需考虑以下几点:

  • 热管理:虽然器件具有700mW的最大功率,但在高功率应用中应采用散热设计,以防止过热导致性能下降或损坏。
  • 电源电压:确保所用电源电压不超过60V,以避免器件损坏。
  • 负载特性:合理选择负载,以确保Ic不超过1A,防止器件过载。
  • PCB布局:建议在布线时降低对信号路径的干扰,并优化接地设计,以提高电路的稳定性与可靠性。

总结 DSS4160DS-7是一款性能优异、稳定可靠的NPN双极晶体管,通过合理的设计和布局,可以在许多电子应用中实现出色的运行效果。凭借其高电流承受能力、低饱和压降及宽工作温度范围,DSS4160DS-7为工程师和设计师提供了灵活的解决方案,满足现代电子产品对高效能和高可靠性的需求。选择DSS4160DS-7,无疑是在追求高性能电子设计道路上的明智之选。