晶体管类型 | 2 NPN(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 100mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1A,5V |
功率 - 最大值 | 700mW | 频率 - 跃迁 | 220MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-6 | 供应商器件封装 | SOT-26 |
产品概述 DSS4160DS-7是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能NPN型双极晶体管(BJT),它具有卓越的电流承载能力和相对较高的工作频率,广泛应用于各种电子电路和设备中。这款晶体管的设计旨在满足多种现代电子应用的需求,适合用于开关、电流放大以及其他线性应用。
主要特性
应用领域 DSS4160DS-7广泛应用于多个领域,包括但不限于:
设计注意事项 在设计电路时,使用DSS4160DS-7时需考虑以下几点:
总结 DSS4160DS-7是一款性能优异、稳定可靠的NPN双极晶体管,通过合理的设计和布局,可以在许多电子应用中实现出色的运行效果。凭借其高电流承受能力、低饱和压降及宽工作温度范围,DSS4160DS-7为工程师和设计师提供了灵活的解决方案,满足现代电子产品对高效能和高可靠性的需求。选择DSS4160DS-7,无疑是在追求高性能电子设计道路上的明智之选。