DMN4035LQ-13
DMN4035LQ-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 574pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 720mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN4035LQ-13手册
DMN4035LQ-13概述
DMN4035LQ-13 产品概述
基本介绍
DMN4035LQ-13 是一款由美台（DIODES）公司生产的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计旨在满足广泛的电源管理和开关应用需求。此器件采用 SOT-23 封装，小巧的外形使其非常适合抑制空间受限的应用。DMN4035LQ-13 具备高效的导通性能和优异的热稳定性，适用于汽车电子、消费电子、数据通信和工业控制等多个领域。
技术参数
FET 类型: 本器件为 N 通道 MOSFET，这种类型的 FET 在负载驱动特性上表现出色，尤其在高频应用中。
漏源电压（Vdss）: 该产品的最大漏源电压为 40V，这意味着它能够承受高达 40V 的工作电压，非常适合中高电压应用。
持续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境下，DMN4035LQ-13 的连续漏极电流可达到 4.6A，这提供了足够的驱动能力满足大多数负载需求。
导通电阻（Rds(on)）: 在 Vgs 为 10V 时，最大导通电阻为 42 毫欧（@ 4.3A），这保证了在导通状态下的能量损耗最小，提升了整个电路的能效。
栅源电压（Vgs）: 器件的最大栅源电压为 ±20V，足以用于多种栅极驱动电路。
阈值电压（Vgs(th)）: Vgs(th) 最大值为 3V（@ 250µA），这意味着该器件在低栅压下即可实现良好的开关性能，有助于提高电路的响应速度。
栅极电荷（Qg）: 在 Vgs 为 10V 时，栅极电荷为 12.5nC，说明 DMN4035LQ-13 在开关过程中对驱动电流的需求相对较小，有助于降低驱动电路的能耗。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容为 574pF（@ 20V），这对于高频开关应用而言是一个重要参数，较低的输入电容有助于降低开关时的延迟。
功率耗散和工作温度: DMN4035LQ-13 的最大功率耗散为 720mW，工作温度范围广泛，适用温度为 -55°C 至 150°C，适合多种环境下的应用。
应用领域
DMN4035LQ-13 的特性使其广泛应用于多个领域：
消费电子: 例如笔记本电脑、手机及其他便携设备中，作为电源开关或者负载驱动器。
汽车电子: 在电动车以及传统汽车中，用于电源管理，如发动机控制单元、车载充电器等。
工业控制: 作为开关元件，用于电机驱动、PLC 控制器与工厂自动化设备中。
通信设备: 在各类通讯设备与网络设备中，运用于信号的放大与处理。
总结
DMN4035LQ-13 是一种高度集成的小型 N 通道 MOSFET，具有宽广的工作电压及电流范围，以及低导通电阻和低栅极电荷等特性，非常适用于需要高效电源管理的各类应用。它不仅具备可靠的性能，而且其适应性强，使其成为现代电子设备设计中不可或缺的重要元器件。无论是在消费电子还是工业领域，DMN4035LQ-13 都能够提供出色的性能，帮助设计师实现高效、可靠的电路解决方案。