类型 | 齐纳 | 双向通道 | 4 |
电压 - 反向断态(典型值) | 5V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 6V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 14V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 6A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 84W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 15pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 | 供应商器件封装 | TSOT-25 |
D5V0L4B5TS-7 是一款由知名品牌 DIODES(美台)生产的高性能瞬态电压抑制二极管(TVS 二极管),该器件专为保护电子设备免受瞬态电压尖峰影响而设计。其内部采用齐纳二极管结构,结合了卓越的电气特性与小型封装,尤其适合于对可移动设备和高频应用的保护需求。
双向通道设计: D5V0L4B5TS-7 采用四个独立的双向通道,能够对正负对称的瞬态电压波动提供有效的抑制,使其特别适合于具有双极性信号的应用。
反向断态电压: 此器件的典型反向断态电压为 5V,最大可达到 6V,这意味着它能在正常工作状态下有效防止过电压损害,并确保设备的安全运行。
电压-击穿特性: D5V0L4B5TS-7 的最小击穿电压为 6V,能够在超过此电压时迅速导通,为连接的设备提供保护。
脉冲处理能力: 此 TVS 二极管具备出色的脉冲处理能力,最大峰值脉冲电流为 6A (10/1000μs),并且其功率峰值可达到 84W,确保能够处理较高峰值的瞬态电压,适应严苛工作环境。
频率响应: 在 1 MHz 的频率条件下,该器件显示出典型的电容值为 15pF,这种低电容特性使其在高速信号中不会引入显著的信号失真,非常适合应用于高频和快速数据传输场景。
宽广的工作温度: D5V0L4B5TS-7 能在 -65°C 到 150°C 的宽温环境中可靠工作,确保其适应各种环境和长期稳定性,使其成为高可靠性应用的理想选择。
封装与安装: 该器件采用 TSOT-25 表面贴装封装,具有占用空间小、散热快的优点,其细型设计使其非常适合空间受限的电路板。此外,表面贴装的安装方式使其适应现代自动化焊接技术,简化了生产过程。
D5V0L4B5TS-7 适用于广泛的电子设备保护应用,包括但不限于:
总的来说,D5V0L4B5TS-7 是一款具有优秀电气性能与坚固耐用结构的瞬态电压抑制二极管。无论是在高频高速应用,还是广泛的工业和消费类电子产品中,都能为用户提供极为重要的电气保护。其低插入损耗、宽温工作范围和细型封装,使其成为现代电子设计中不可或缺的重要组件。