FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 30 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18.6nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 945pF @ 20V |
功率耗散(最大值) | 1.71W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252-3 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
DMN4040SK3-13是一款高性能的N沟道MOSFET,具备优异的电气特性和可靠性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动、开关电源和其他高频、高效的电路设计中。该器件由DIODES(美台)公司生产,采用TO-252(DPAK)封装,使其更容易在表面贴装技术(SMT)中使用。
DMN4040SK3-13采用TO-252(DPAK)封装,具有较好的散热性能和较高的封装密度,适合各种表面贴装应用。该封装类型使得该器件易于在自动化生产过程中进行批量装配,降低了生产成本,并提高了装配效率。
DMN4040SK3-13可广泛应用于:
DMN4040SK3-13是一款功能强大,性能卓越的N沟道MOSFET,具备良好的导电性和热管理能力,适合于多种电子应用。凭借其高耐压、低导通电阻和广泛的工作温度范围,它为设计工程师提供了丰富的应用可能性,能够满足现代电子设备对高性能、高可靠性的需求。此器件的高性价比和丰富的特性,使其成为各种电源电路设计中不可或缺的选择。