DMN4040SK3-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN4040SK3-13

商品编码: BM0177321817
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.71W 40V 6A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
3549(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.45
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.45
--
100+
¥1.11
--
1250+
¥0.944
--
2500+
¥0.8
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN4040SK3-13参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)18.6nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)945pF @ 20V
功率耗散(最大值)1.71W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装TO-252-3
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

DMN4040SK3-13手册

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DMN4040SK3-13概述

DMN4040SK3-13 产品概述

产品简介

DMN4040SK3-13是一款高性能的N沟道MOSFET,具备优异的电气特性和可靠性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动、开关电源和其他高频、高效的电路设计中。该器件由DIODES(美台)公司生产,采用TO-252(DPAK)封装,使其更容易在表面贴装技术(SMT)中使用。

主要特性

  • FET类型:N沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 连续漏极电流(Id):6A(在25°C环境下)
  • 导通电阻(Rds(on)):在10V栅压和12A漏电流下,最大的导通电阻为30毫欧,确保了在满载运行时的低功耗与高效率。
  • 栅极驱动电压:适应范围广,可在4.5V到10V之间选择,以获得最佳的性能参数。
  • Vgs(th)(阈值电压):最大值为3V(在250µA漏电流下),确保在较低电压下开启,提升了电路的应用灵活性。

性能参数

  • 输入电容(Ciss):最大值为945pF(在20V条件下),提供良好的开关性能,适合高速应用。
  • 栅极电荷(Qg):最大值为18.6nC(在10V条件下),此参数对高频开关和快速开关应用尤为重要。
  • 功率耗散:最大功率耗散为1.71W,适合在高功率和高温环境中稳定工作。
  • 工作温度范围:该器件可在-55°C到150°C的温度范围内工作,适应极端环境,确保了设计的可靠性和稳定性。

封装与安装

DMN4040SK3-13采用TO-252(DPAK)封装,具有较好的散热性能和较高的封装密度,适合各种表面贴装应用。该封装类型使得该器件易于在自动化生产过程中进行批量装配,降低了生产成本,并提高了装配效率。

应用领域

DMN4040SK3-13可广泛应用于:

  • 电源管理:在电源转换过程中运作,处理DC-DC转换和高效开关电源。
  • 马达驱动:用于控制各类马达的驱动电流。
  • 电池管理:提高电池充电和放电效率,延长电池使用寿命。
  • LED驱动:在LED光源的驱动电路中提供高效率的开关功能。

结论

DMN4040SK3-13是一款功能强大,性能卓越的N沟道MOSFET,具备良好的导电性和热管理能力,适合于多种电子应用。凭借其高耐压、低导通电阻和广泛的工作温度范围,它为设计工程师提供了丰富的应用可能性,能够满足现代电子设备对高性能、高可靠性的需求。此器件的高性价比和丰富的特性,使其成为各种电源电路设计中不可或缺的选择。