注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN3024SFG-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
PowerDI3333-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 900mW 30V 7.5A 1个N沟道 PowerDI3333-8
库存 :
1589(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.58按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.58
--
100+
￥1.22
--
1000+
￥1.02
--
2000+
￥0.846
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN3024SFG-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 479pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 900mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMN3024SFG-7手册
无数据
DMN3024SFG-7概述
DMN3024SFG-7 产品概述
产品简介 DMN3024SFG-7是一款高性能的N通道MOSFET，专为高效能和高密度应用而设计。此元器件采用现代金属氧化物半导体技术，拥有紧凑的PowerDI3333-8封装，使其在有限的空间内提供卓越的电流处理能力。本 MOSFET 的额定电压为30V，最大连续漏极电流为7.5A，展示出其在高电压和高电流环境下的稳定性能。
基本参数与特性 DMN3024SFG-7的技术参数在电子设计中极其重要，使其适用于广泛的应用场景。从漏源电压（Vdss）到驱动电压，本产品的设计旨在满足现代电子设备对功率与效率的严格要求。
- 漏源电压（Vdss）: 最大为30V，使其适用于多种普通消费和工业电子设备。
- 连续漏极电流（Id）: 额定为7.5A，这为设备提供了强大的处理能力，特别是在需要大电流的应用场合。
- 导通电阻（Rds On）: 在10A、10V条件下，最大导通电阻为23毫欧，这使得此产品在导通状态下具备极低的功耗，进而提升整体能效。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为2.4V，在较低的栅极驱动电压下便能保证MOSFET的导通状态，便于与多种驱动电路兼容。
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为10.5nC，这一性能保证了快速开关与高频操作的可靠性。
热特性与功率处理 DMN3024SFG-7的功率耗散能力最大可达900mW，这为高功率应用提供了一定的安全余地。同时，该元件的工作温度范围极为宽泛，覆盖-55°C至150°C，确保其在各种恶劣环境下依然能够稳定运行。
封装与安装 DMN3024SFG-7采用了PowerDI3333-8的表面贴装型封装设计，提供了极高的电气性能和热导特性。这种封装设计不仅节省了板级空间，还简化了集成过程，适合现代的紧凑型电子设备设计。
应用场景 DMN3024SFG-7可广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 在开关电源设计中，MOSFET可用于功率转换，提供高效的能量转换和稳压功能。
- 电机驱动: 播放在电机控制应用中，DMN3024SFG-7可用于高效控制电机的启停和调速性能。
- 电源管理: 在负载开关和电源管理IC中，MOSFET作为电子开关可以高效控制电源的启用和关闭，实现智能化管理。
- 消费电子: 如计算机、电视及其他消费级设备中的电源电路，能够保证安全、高效、可靠的工作。
总结 DMN3024SFG-7是DIODES（美台）公司推出的一款高性能N通道MOSFET，它结合了优异的电流和电压处理能力，低导通电阻和宽温度操作范围，成为多种电气应用的理想选择。随着技术的不断进步和电子设备的小型化需求增长，DMN3024SFG-7的应用潜力巨大，必将在未来科技发展中发挥重要作用。