DMN2005UFG-13
DMN2005UFG-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 164nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6495pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.05W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMN2005UFG-13手册
DMN2005UFG-13概述
DMN2005UFG-13 产品概述
基本信息
DMN2005UFG-13 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计用途广泛，适用于多个电子应用领域。这款MOSFET的关键参数包括最大漏源电压为20V，持续漏极电流可达18.1A，功率耗散能力为1.05W，使其成为电子电路中理想的开关器件和线性放大器。
产品特点
结构与封装
DMN2005UFG-13采用了表面贴装型的PowerDI3333-8封装，这种封装方式不仅提供优良的散热性能，还能有效降低电路板的空间占用。其紧凑的设计使得DMN2005UFG-13在高密度布线的现今电子产品中表现出色。电气参数
- 漏源电压 (Vdss): 此器件的最大漏源电压为20V，适用于需要小电压范围的应用。
- 持久漏极电流 (Id): 在25°C的情况下，DMN2005UFG-13能够支持18.1A的连续漏极电流，这使得其能够在高负载条件下稳定工作。
- 导通电阻 (Rds On): 在4.5V的门源电压下，当漏极电流为13.5A时，其导通电阻最大值为4.6毫欧，低导通电阻有助于降低功耗，提高器件效率。
门极驱动和阈值电压
DMN2005UFG-13的驱动电压范围分别为2.5V（最低Rds On）和4.5V（最大Rds On）。这一特性使其能够与低功耗驱动电路兼容。在不同的漏极电流条件下，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V@250µA，这确保了器件在低压条件下能够迅速导通。栅极充电电荷 (Qg)
栅极充电电荷最大值为164nC@10V，具备较低的栅极驱动电荷使得其在开关应用中表现出色，缩短开关时间，优化效率。工作温度
本器件的工作温度范围从-55°C到150°C，使其在极端环境条件下都能稳定运行，适用于汽车、工业控制、消费电子等多种应用领域，具有良好的可靠性。输入电容 (Ciss)
当漏源电压为10V时，输入电容的最大值为6495pF。这一特性对于高频率应用来说是一个重要的指标，可以影响开关速度与整体电路响应特性。
应用场景
DMN2005UFG-13广泛应用于多种电子设备，包括但不限于：
- DC-DC转换器
- 电池管理系统
- 直流电机驱动
- 开关电源
- 便携式电子设备
- 太阳能逆变器
- 汽车电子设备
总结
DMN2005UFG-13凭借其出色的电气性能与可靠的工作特性，是现代电子电路设计中的重要元器件。其低导通电阻、高电流承载能力和宽工作温度范围使其在多种应用中成为理想选择，同时，先进的封装技术也确保了产品在空间受限的设备中的应用灵活性。无论是在消费电子，还是工业控制领域，DMN2005UFG-13都能满足高效、稳定和可靠的工作需求，为各种电子设备提供强有力的支持。