ZXMN6A11DN8TA
ZXMN6A11DN8TA参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A | FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330pF @ 40V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.7nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 1.8W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA（最小） |
ZXMN6A11DN8TA手册
ZXMN6A11DN8TA概述
ZXMN6A11DN8TA 产品概述
一、产品概述
ZXMN6A11DN8TA 是一种高性能的 N 通道 MOSFET，具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。这款 MOSFET 最显著的特点是其高效的导通特性、出色的开关速度和较低的导通电阻，适用于各种电子电路和电源管理方案。
二、技术参数
- 类型: N-通道 MOSFET
- 封装: SO-8（得益于表面贴装技术，适合现代电路板设计）
- 导通电阻: 最大120毫欧（在2.5A和10V下测量，25°C）
- 最大漏极电流 (Id): 2.5A
- 漏源电压 (Vds): 60V
- 输入电容 (Ciss): 330pF（在40V下测量）
- 栅极电荷 (Qg): 最大5.7nC（在10V下测量）
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最小1V（在250µA下测量）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 功率最大值: 1.8W
- FET 功能: 逻辑电平门
三、产品特点
ZXMN6A11DN8TA 以其性能卓越、可靠性高、适用范围广的优势，在电子行业中备受青睐。以下是其主要特点：
表面贴装型设计: SO-8 封装设计使得 ZXMN6A11DN8TA 产品适应现代电路板的布局，便于自动化焊接和组装，提高生产效率。
低导通电阻: 在其额定工作条件下，ZXMN6A11DN8TA 实现了极低的导通电阻（最大120毫欧），这使得其在大电流应用中减小功率损耗、提高工作效率。
广泛的电流和电压范围: 此款 MOSFET 允许在最大 60V 的漏源电压下稳定工作，最高可承受 2.5A 的连续漏极电流，适用于多种供电和开关条件。
快速的开关特性: 由于其较低的输入电容 330pF 和栅极电荷 5.7nC，ZXMN6A11DN8TA 在高频开关应用中表现优异，能够快速响应变化，适合开关电源和DC-DC转换器等系统。
广泛的工作温度范围: 能够在极端环境条件下正常工作（-55°C 至 150°C），确保了在不同应用场景下的稳定性和可靠性，特别是在汽车、工业控制及航空航天等领域。
四、应用领域
ZXMN6A11DN8TA 的优良性能使其广泛适用于多种行业和应用场景：
开关电源: 高效率的电源管理解决方案，降压和升压转换器中都能发挥重要作用。
电机驱动: 在直流电动机和步进电机的驱动电路中，以高效开关提供稳定的电流控制。
汽车电子: 由于其宽广的工作温度范围和高度的可靠性，广泛应用于汽车照明、电源控制和电池管理系统。
消费电子设备: 被广泛应用于智能手机、平板电脑及其他消费类电子产品的电源管理电路中。
五、总结
ZXMN6A11DN8TA 作为一款高效、可靠的 N-通道 MOSFET，在满足多种应用需求方面表现出色。其低导通电阻、快速开关特性以及宽广的工作温度范围，使其成为各类电源管理、开关电源等领域的理想选择。无论是在汽车、工业还是消费电子产品中，ZXMN6A11DN8TA 均能提供优异的性能，助力产品的稳定性与可靠性。