RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB 产品概述

一、基本信息

RQ3E180GNTB是一款由ROHM（罗姆）公司制造的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其具有优越的电气性能和高度的可靠性。该MOSFET特别适合用于需要高效率、高功率和小体积的应用场合，如开关电源、DC-DC转化器、电机驱动等。

二、主要参数

1. 工作电压和电流：

   • 漏源电压（Vdss）：30V，确保在各种工作环境中都有足够的安全裕度。
   • 连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，该MOSFET能够承受18A的电流，适用于高功率应用。

2. 导通电阻：

   • 在10V的栅源电压（Vgs）及18A的漏极电流条件下，该器件的导通电阻（Rds(on)）的最大值为4.3毫欧，显示出优异的导电性能，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。

3. 栅极驱动电压：

   • 最大驱动电压为20V，支持在较宽的电压范围内驱动，确保器件在不同应用需求下均能稳定运行。
   • 在4.5V和10V下分别可以实现导通状态，适应多种驱动电路设计。

4. 开关特性：

   • 最大的栅极阈值电压（Vgs(th)）为2.5V，在仅需较低电压就能实现导通，降低了驱动电路的复杂性。
   • 栅极电荷（Qg）在10V下的值为22.4nC，优化了开关速度和效率，适合高频开关应用。

5. 功率和温度特性：

   • 该MOSFET的功率耗散能力达到2W（Ta），能够在高功率应用中稳定工作。
   • 工作温度范围高达150°C，使得设备在高温环境下也能可靠运行。

三、封装与安装

RQ3E180GNTB采用8引脚的表面贴装型封装（HSMT-8，尺寸为3.2x3mm），大大缩小了PCB面积，有利于小型化设计。此外，该封装类型还提供了良好的散热特性，以应对器件在高功率下的热管理问题。

四、应用领域

1. 电源管理：由于其低导通电阻和良好的温升控制性能，该MOSFET非常适合用于开关电源（SMPS），如适配器、LED驱动电源以及DC-DC变换器等。

2. 电机驱动：RQ3E180GNTB能有效控制电机的启停和调速，广泛应用于直流电机驱动、电动工具和家电产品等。

3. 汽车和工业应用：受益于其高温工作特性，RQ3E180GNTB在汽车电子和工业控制领域也表现出色，能够满足严苛的工作环境和长寿命的需求。

五、总结

RQ3E180GNTB是一款技术先进、性能优越的N通道MOSFET，适用于各种高性能电子应用。其显著的导通性能、卓越的开关效率和高工作温度范围使得其成为开关电源、DC-DC转换、电机驱动及多种工业应用的理想选择。凭借ROHM品牌的卓越品质，RQ3E180GNTB在性能和可靠性方面均满足现代电子设备的高标准要求，为设计师提供了安全、稳定且高效的解决方案。