制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A(Ta),100A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.9 毫欧 @ 30A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),69W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8-5 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
漏源电压(Vdss) | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 44nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2800pF @ 15V |
BSC0901NSATMA1 是一款由英飞凌科技(Infineon Technologies)制造的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。它属于 OptiMOS™ 系列,是一款优化设计的功率MOSFET,专为高效率电源转换和电流控制应用而设计。本产品以其低导通电阻、高电流处理能力和广泛的工作温度范围,成为现代电子设计中不可或缺的元器件,适合用于电源管理、开关电源和电机驱动等领域。
高电流处理能力:
低导通电阻:
广泛的栅极驱动电压范围:
高工作温度范围:
优化的封装设计:
快速的开关特性:
BSC0901NSATMA1 的卓越性能使其广泛应用于以下领域:
电源管理: 适用于高效率 DC-DC 转换器、线性稳压器和其他电源管理设备,能够有效提升系统的整体效率。
后备电源(UPS): 在不间断电源(UPS)系统中,BSC0901NSATMA1 可用作开关管,提供可靠的电力传输和管理.
电机驱动: 在电动机控制系统中,该MOSFET可用于高效的直流电机驱动器,提高能量利用率,降低热量损失。
自动化和电动交通: 应用于电动汽车、机器人等领域,支持高功率和高效率的电动驱动系统,满足现代智能交通和自动化设备对高性能元件的需求。
BSC0901NSATMA1 是一款高效、可靠、适用范围广泛的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能和温度适应性,能够满足现代电力电子应用的苛刻要求。无论是用于电源转换、电机控制,还是在高温环境下的其他工业应用,它都能够提供稳定的性能和高效的能量管理。选择 BSC0901NSATMA1,将为您的设计带来更高的效率和可靠性,推动技术的创新与发展。