IRFR3504ZTRPBF
IRFR3504ZTRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 42A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1510pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 90W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR3504ZTRPBF手册
IRFR3504ZTRPBF概述
IRFR3504ZTRPBF 产品概述
一、产品基本信息
IRFR3504ZTRPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，由著名的半导体制造商英飞凌科技（Infineon）生产。该元器件专为高电流、高效率的开关应用而设计，具备良好的电气特性和热稳定性，适合在苛刻环境中工作。
二、关键参数
漏源电压（Vds）: 该元器件的漏源电压额定值为 40V，意味着其能够承受高达 40V 的电压而不发生击穿，适用于中高压应用。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，IRFR3504ZTRPBF 支持高达 42A 的连续电流，这使得其在功率大、流量高的应用中表现出众。
导通电阻（Rds(on)）: 在 Vgs 10V、Id 为 42A 的条件下，最大导通电阻为 9 毫欧。这一低阻抗特性极大地减少了在导通情况下的功率损耗，有助于提高系统的整体效率。
栅极电荷（Qg）: 最高栅极电荷为 45nC @ 10V，表明控制该 MOSFET 所需的驱动能量相对较小。这使得驱动电路设计更为简单，尤其在 PWM 和开关电源等频繁开关的应用中，能显著提高系统的响应速度。
门极阈值电压（Vgs(th)）: 该参数的最大值为 4V @ 250µA，表明该器件在较低电压条件下即可被有效开启，使得其在低电压应用场景下仍能保证可靠工作。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容值为 1510pF @ 25V，这一相对较低的输入电容对快速开关操作非常有利。
功率耗散（Pd）: 最大功率耗散为 90W（在 Tc 限制下），确保在高负载条件下仍能正常工作而不发生过热问题。
三、工作温度范围
IRFR3504ZTRPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其非常适合于各种工业和汽车应用，能够在极端环境条件下维持稳定工作。
四、封装与安装
该 MOSFET 采用 D-Pak（TO-252-3）封装，这种表面贴装型封装设计可显著节省空间，同时具备良好的散热性能和电气连接性，符合现代电子设备对小型化和高效散热的需求。
五、应用领域
IRFR3504ZTRPBF 适合广泛的应用，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）: 由于其高导通效率和低功耗特性，特别适用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
- 电机驱动: 在电动机控制和驱动电路中，该 MOSFET 能够提供可观的开关性能。
- 电池管理系统: 其优异的效率和热稳定性使得该元件非常适合电池保护和管理电路中使用。
- 汽车电子: 由于可承受恶劣环境和高温，IRFR3504ZTRPBF 是现代汽车电子设备（如电源分配、传感器和执行器）的理想选择。
六、总结
综上所述，IRFR3504ZTRPBF 是一款性能优越、适用范围广泛的 N 沟道 MOSFET，凭借其优异的电气特性、宽广的工作温度范围和高效的热管理能力，非常适合在当今发展迅速的电子产品中得到应用。随着越来越多的行业对于功率密度和能效的需求上升，这款 MOSFET 的市场需求也将日益增长，成为许多电源设备和驱动电路设计的首选组件。