功率(Pd) | 2.5W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5mΩ@10V,50A | 漏源电压(Vdss) | 30V |
类型 | 1个N沟道 | 连续漏极电流(Id) | 98A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA |
1. 产品简介
CRTM025N03L 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,能够在多种应用场景中提供卓越的电流控制与电压管理能力。该器件的设计旨在满足现代电子设备对能效与性能的严格要求,特别适合用于电源管理、电机控制以及其他功率转换领域。
2. 关键参数
3. 设计特点
低导通电阻:CRTM025N03L 具备极低的导通电阻(Rds(on)),使得其在导通状态下的功耗降低,提升了整体效率。这一特性特别适合用于电力转换和电能管理系统,有助于减少热量的产生。
高电流能力:该 MOSFET 可以支持高达 98A 的连续电流,非常适合处理大功率负载,如电机驱动和DC-DC转换器。其高电流能力确保了在应对瞬态负载时的稳定性与可靠性。
宽电压范围:具有30V的额定耐压,使其能够在多种电源环境中灵活应用。此特性进一步扩展了 CRTM025N03L 在不同应用场景中的适用性。
紧凑封装:DFN-8-EP (6x5mm) 的封装设计提供了出色的散热性能和良好的电气性能。该封装形式有助于提高空间利用率,符合现代电子产品日益紧凑的设计需求。
4. 应用领域
CRTM025N03L 广泛适用于多个应用场景,包括但不限于:
5. 可靠性与性能
CRTM025N03L 不仅在电气性能上表现突出,同时在热管理和长期可靠性设计上也经过了严格检验。该器件的散热能力和热稳定性使其在高功率应用时表现的尤为出色,适合在各种苛刻的工作环境中使用。
6. 结论
总之,CRTM025N03L N 沟道场效应管凭借其优异的电气特性、紧凑的封装设计和广泛的应用潜力,成为现代电子设计中的重要选择。无论是在高功率电源管理、电机控制还是其他复杂电路中,该器件都能提供可靠的支持和出色的性能。对于追求高效能、低功耗和高密度设计的工程师而言,CRTM025N03L 是一种理想的电子元件。