电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 36V | 容差 | ±5% |
功率 - 最大值 | 500mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 70 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 27V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOD-123 | 供应商器件封装 | SOD-123 |
MMSZ5258BT1G 是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款稳压二极管,封装类型为 SOD-123。该器件主要用于电压稳压和过压保护,尤其适合在要求高精度电压参考和稳定性的应用中使用。这款稳压二极管具有标称齐纳电压为 36V,额定功率达到 500mW,且表现出优异的电流特性和工作稳定性。
MMSZ5258BT1G 具备多项优越性能,是电子设计中的理想选择。这款稳压二极管的齐纳电压在 34.2V 至 37.8V 之间,具有良好的电压稳定性,能在各种应用条件下提供可靠的电压参考。它的最大功率评级达到 500mW,使其在广泛的电路中表现出色,能够在高负载情况下依然维持良好的性能。
反向泄漏电流仅为 100nA,表明该器件在高压工作下具有极低的漏电流。这一特性非常适合高精度电源系统,尤其是对于低功耗设备和传感器应用而言,可以有效降低功耗,提高系统效率。同时,采用 SOD-123 封装,实现了更小的放置空间,使得设计更具灵活性。
MMSZ5258BT1G 稳压二极管适用于多种用途,包括但不限于:
MMSZ5258BT1G 稳压二极管凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,成为了电源管理和稳压电路的重要组成部分。安森美的这一产品不仅在电压稳定性和功率处理方面表现优异,同时其小巧的 SOD-123 封装也为现代电子产品的小型化发展提供了便利。进一步结合优异的温度适应性和极低的反向泄漏电流,MMSZ5258BT1G 无疑是在设计高效、低功耗电子系统中不可或缺的电子元件。通过选择 MMSZ5258BT1G,可以有效提升系统的可靠性与性能,是设计师在电路设计时的优选元件。