功率(Pd) | 1.3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 11pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 230mΩ@10V,1.5A |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.6nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 105V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 326pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 1.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
ME2328-G是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具备1.3W的功耗能力、105V的耐压等级及1.5A的连续电流输出,采用流行且紧凑的SOT-23封装。这款MOSFET由知名品牌MATSUKI(松木)生产,专为中小功率的电子应用优化,适合多种工业和消费电子设备中的开关控制和放大电路。
电气特性:
封装设计:
品牌优势:
ME2328-G适用于多种应用,包括但不限于:
低开关损耗:ME2328-G的设计使其在高频开关操作时具有较低的开关损耗,适合高频应用,从而提高整体能效。
高可靠性:采用高质量的材料制造,确保其在各种工作环境中的长期稳定性,降低了维护和更换的需求。
易于集成:由于其小尺寸的封装,ME2328-G可方便地集成到各种电路设计中,提升产品设计的灵活性。
总的来说,ME2328-G是一款高性能的N沟道MOSFET,适应了现代电子设备对小型化、高效能需求的趋势。凭借其105V的耐压能力和1.5A的电流输出,这款MOSFET在多种应用中均能提供优异的性能。作为MATSUKI(松木)品牌的产品,ME2328-G无疑是提升电子产品性能和可靠性的理想选择,对于设计师和工程师而言,其具备的优越特性使其在众多应用场景中展现出良好的竞争力。