SIA445EDJ-T1-GE3
SIA445EDJ-T1-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16.5 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2130pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 3.5W（Ta），19W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
SIA445EDJ-T1-GE3手册
SIA445EDJ-T1-GE3概述
SIA445EDJ-T1-GE3 产品概述
一、基本信息
SIA445EDJ-T1-GE3 是由威世（VISHAY）公司生产的 P 通道增强型金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其主要设计用于电力管理和开关应用。该器件具有紧凑的 PowerPAK® SC-70-6 封装，适用于需要高效能和可靠性的表面贴装组件，是现代电路设计中不可或缺的重要元器件之一。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 20V，使其能够在中等电压等级的应用中稳定工作。
连续漏极电流（Id）: SIA445EDJ-T1-GE3 可承受 12A 的最大连续漏极电流，这使其适合多种要求较高电流的负载。
导通电阻（Rds On）: 在 Vgs 为 4.5V 的条件下，其最大导通电阻为 16.5 毫欧（在 Id 为 7A 时测量），确保在导通状态下具有较低的功率损耗，提升整体效率。
驱动电压（Vgs）: 该 MOSFET 在 2.5V 至 4.5V 的电压时代替传统的高电平驱动，使得它能够与低电压控制电路兼容。
阈值电压（Vgs(th)）: Vgs(th) 在 1.2V 时（@ 250µA），显示出在低电压下就能启动，有利于实现更贴近逻辑电平的控制。
输入电容（Ciss）: 该器件在 Vds 为 10V 时的输入电容值为 2130pF，表明其对高频信号的反应性能相对较好。
功率耗散能力: 在环境温度（Ta）下最大功率耗散为 3.5W，而在结温（Tc）条件下可达 19W，使其在各种散热条件下都能高效工作。
工作温度范围: 该 MOSFET 工作温度范围为 -55°C 到 150°C，确保在严酷的环境条件下也能正常运行。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 条件下的最大栅极电荷为 72nC，确保快速充放电，适合高频开关应用。
三、应用场景
SIA445EDJ-T1-GE3 MOSFET 适用于各种电源管理应用，如：
DC-DC 转换器: 通过其优异的导通电阻和高电流能力，能够在开关模式电源中提升整体效率。
电机控制: 可用于小型电机的驱动和控制，以其高效能支持高负载。
LED 驱动电源: 以较小的功率损耗为 LED 提供稳定的驱动电源，通过调节栅极电压实现亮度控制。
电池管理系统: 由于其宽工作温度范围和低导通损耗，适合用于电池管理系统中，以提高电池的充放电效率。
四、封装与可用性
SIA445EDJ-T1-GE3 采用 PowerPAK® SC-70-6 单封装，具有优良的散热性能和小尺寸，适合紧凑型设计。该无铅封装符合环保法规，易于进行表面贴装，用户可以在多种应用中更便利地进行安装。
五、总结
综上所述，SIA445EDJ-T1-GE3 是一款性能优异、应用广泛的 P 通道 MOSFET，其低导通电阻、高连续电流能力及广泛的温度范围使其在多个现代电子应用中成为理想选择。无论是用于电源管理、信号开关，还是在高效率电路设计中，SIA445EDJ-T1-GE3 的优良性能和紧凑设计无疑为设计工程师提供了极大的便利和灵活性。