驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 210mA,360mA | 高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V |
上升/下降时间(典型值) | 100ns,50ns | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
IR2102STRPBF 是一款高性能、低功耗的栅极驱动集成电路(IC),设计用于驱动功率MOSFET和IGBT,这些器件通常被用于电力电子应用。作为一款半桥配置的驱动器,IR2102STRPBF 能够有效地控制高压设备,广泛应用于电机控制、逆变器、DC-DC转换器及其他要求高速开关的电力转换场合。
IR2102STRPBF 广泛应用于多种电力电子系统,包括但不限于:
总之,IR2102STRPBF 栅极驱动IC 结合了高性能、灵活性与可靠性,是电力电子应用中的优选解决方案。其半桥配置和高达600V的工作电压能力确保了与高压元件的兼容性,而快速的开关时间和宽广的工作温度范围则使其在各种严苛环境中均能表现卓越。因此,IR2102STRPBF 是追求效率和性能的电子设计师理想之选。通过合理的电路设计和灵活的应用,IR2102STRPBF 有望为各种先进应用提供有力支持。