BSZ900N15NS3 G 产品实物图片
BSZ900N15NS3 G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSZ900N15NS3 G

商品编码: BM0169025984
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TSDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) BSZ900N15NS3 G PowerTDFN-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
12.6
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥12.6
--
100+
¥10.96
--
1250+
¥9.97
--
2500+
¥9.58
--
5000+
¥9.21
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSZ900N15NS3 G参数

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BSZ900N15NS3 G手册

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BSZ900N15NS3 G概述

BSZ900N15NS3 G 产品概述

一、产品简介

BSZ900N15NS3 G 是由全球领先的半导体制造商英飞凌(Infineon)推出的一款高性能场效应管(MOSFET),其独特的设计和高效能使其成为各种功率管理应用中的理想选择。该器件采用PG-TSDSON-8封装,展示了优越的热性能和电气特性,使其在快速开关和高频应用中表现卓越。这款MOSFET专为电源管理领域设计,也广泛应用于变换器、DC-DC转换器、电机驱动电路以及其他需要高效能和高可靠性的电源电路中。

二、技术规格

BSZ900N15NS3 G 的关键技术规格如下:

  1. 最大漏极到源极电压(V_DS):150 V
  2. 最大漏极电流(I_D):90 A(在适当的散热条件下)
  3. 低导通电阻(R_DS(on)):在10 V栅极电压下,仅为 9.8 mΩ,确保了在导通状态下的高效能和低功耗。
  4. 回升体二极管(Body Diode)特性:反向恢复时间短,有助于降低开关损耗。
  5. 工作温度范围:-55℃至150℃,适合各种苛刻的工作环境。

这些参数使得 BSZ900N15NS3 G 能够在各种电气负载条件下提供可靠的性能,满足现代电子产品对功率效率和热管理的严格要求。

三、产品特点

  1. 高效率与低开关损耗:BSZ900N15NS3 G 采用了先进的SOI工艺,显著降低了开关损耗,从而提高了系统的整体效率,降低了热量产生。

  2. 优良的热特性:PG-TSDSON-8封装设计不仅使得它的占用面积小,而且允许更好的散热,确保在高工作电流条件下稳定运行。

  3. 可靠性保障:作为英飞凌产品的一部分,BSZ900N15NS3 G 经过严格的质量控制,可靠性高,适用于工业、消费电子以及汽车等要求严苛的领域。

  4. 易于驱动:MOSFET的栅极驱动电压范围宽,便于与各种控制器直接兼容,使得设计工程师在电路设计中可以更方便地集成该器件。

四、应用领域

BSZ900N15NS3 G 的应用场景包括但不限于:

  1. DC-DC转换器:可用于高性能电源管理解决方案,如降压转换器和升压转换器,满足日益增长的功率转换需求。

  2. 电机驱动:在电动机驱动电路中,能够有效控制电机启动和运行,从而提高电机效率和性能。

  3. 电源适配器和充电器:在AC-DC适配器领域,应用该MOSFET可提升整体系统的功率因数,降低能耗。

  4. 能源管理与电力系统:适用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和风力发电,能够提高能源利用率。

  5. 汽车电子:随着汽车电子化的进程加快,该MOSFET也被广泛应用于汽车电源管理模块中。

五、总结

BSZ900N15NS3 G 是一款集高效能、低功耗和优良热性的场效应管,具备优秀的电气特性和可靠性,适用于各类高效率电源管理应用。在当前对功率效率要求日益严格的市场环境中,BSZ900N15NS3 G 将为设计工程师提供卓越的解决方案,满足其创新设计需求,为各种应用提供支持。无论是在工业、消费电子还是汽车领域,该器件都能发挥出色的性能,推动电子产品向更高的技术水平发展。