IRF7452TRPBF
IRF7452TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 930pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF7452TRPBF手册
IRF7452TRPBF概述
IRF7452TRPBF 产品概述
IRF7452TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计旨在满足现代电子设备对高效率、高功率密度和小型化的需求。作为一款表面贴装型元器件，IRF7452TRPBF 理想地应用于各种电子电路中，特别是在电源管理和开关电源体系结构中，体现了其卓越的性能优势。
技术特性
IRF7452TRPBF 的主要技术参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 最大 100V，适用于中高压电源电路。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时为 4.5A，支持应用在功率需求相对较高的场合。
- 最大 Rds(on): 于 10V 驱动电压下，在 2.7A 电流时，导通电阻（Rds(on)）可低至 60 毫欧，显示出其出色的导电性能，降低了功耗与热量生成。
- 门源阈值电压（Vgs(th)最大值）: 为 5.5V，确保即使在较低的驱动电压下，该器件也能良好地导通。
- 栅极电荷（Qg）: 低至 50nC @ 10V，有助于提高开关速度，进而降低开关损耗。
- 输入电容（Ciss）: 最大值为 930pF @ 25V，适合高速开关应用。
应用场景
该 MOSFET 的广泛应用包括但不限于以下几个领域：
电源转换器: IRF7452TRPBF 可用于DC-DC变换器、开关电源（SMPS）和逆变器中，优化效率，降低能耗。
电机驱动器: 适合多种电机控制应用中的功率开关，能够有效控制电机的启动和运行。
电池管理系统: 应用于电池的充放电控制电路中，提高系统的整体性能和安全性。
负载开关: 可用于开关控制电路中，通过精确的电流控制来实现负载切换，以保护后续电路免受过流和短路影响。
工作温度与封装
IRF7452TRPBF 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适应严酷环境的需求，使其能够在高温及极寒条件下稳定工作。这使得该器件在汽车电子、工业控制及航空航天等领域均有广泛应用潜力。
封装方面，IRF7452TRPBF 采用 SO-8 封装，这种封装形式不仅节省了空间，同时也提供了良好的散热性能。SO-8 封装的紧凑型设计使其特别适合于空间受限的高密度电路板上使用。
结论
综上所述，IRF7452TRPBF 是一款具有高可靠性、优异性能的 N 通道 MOSFET，针对现代电子设备的多样化需求提供了强有力的解决方案。凭借其高电压、高电流及低导通损耗的优异性能，IRF7452TRPBF 成为设计师在推动能效、提高系统稳定性和降低热管理问题上的理想选择。无论是在电源转换、驱动以及保护电路中，IRF7452TRPBF 都展示了其广泛的应用可能性和未来的发展潜力。