IRFML8244TRPBF
IRFML8244TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 10µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 430pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRFML8244TRPBF手册
IRFML8244TRPBF概述
产品概述：IRFML8244TRPBF
IRFML8244TRPBF是一款高性能的N通道MOSFET，专为在各种电子应用中实现高效功率管理而设计。作为英飞凌（Infineon）公司的一款优质产品，IRFML8244TRPBF具有卓越的电气性能和可靠的工作特性，为现代电子设备中的功率转换、开关和信号放大等应用提供了优异的解决方案。
基本参数
IRFML8244TRPBF的额定漏源电压（Vdss）为25V，能够满足多种电源管理需求。在25℃环境下，该器件的连续漏极电流能力（Id）高达5.8A，适用于需要较高电流承载能力的应用场合。此外，该MOSFET的导通电阻（Rds On）在10V栅极电压（Vgs）下为最大24毫欧，确保低功耗和高效率。
驱动电压和门限电压
IRFML8244TRPBF具有灵活的驱动电压范围。其栅极电压的设计专门优化为4.5V和10V，使其能够在不同条件下实现最小的导通电阻，以降低能量损耗。同时，该器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为2.35V @ 10µA，确保器件在比较低的栅极驱动电压下即可启动，提高了其在高频开关应用中的性能。
电荷特性和输入电容
关于栅极电荷（Qg）方面，在10V的栅极驱动条件下，IRFML8244TRPBF的栅极电荷最大值为5.4nC。这种低栅极电荷特性非常适合低功耗应用以及需要高频响应的电路设计。此外，在工作过程中，当源漏电压（Vds）变化时，该器件的输入电容（Ciss）最大值为430pF @ 10V，这进一步增强了它在高速开关电路中的适应性。
功率耗散和工作温度
IRFML8244TRPBF的最大功率耗散能力为1.25W，能够在较高温度下稳定工作。该MOSFET的工作温度范围为-55°C到150°C，保证了其在严苛环境下的可靠性，适合用于汽车、工业及消费电子等各种应用场景。
封装和安装类型
IRFML8244TRPBF采用SOT-23封装，符合表面贴装（SMD）技术，使其在自动化组装过程中具有良好的兼容性。同时，小型的SOT-23封装使其在空间受限的电路板设计中表现出色，广泛适用于智能手机、平板电脑以及其他便携产品中。
应用领域
IRFML8244TRPBF广泛应用于多种场合，包括但不限于：
- 开关电源和高频变换器
- 半导体驱动电路
- 电机驱动和控制
- 灯光控制系统
- 消费电子设备
通过集成先进的MOSFET技术，IRFML8244TRPBF能够有效降低能量损耗，提供可靠的性能，并在空间有限的设计中优化布局。它适应性强、效率高，是现代电子设计中不可或缺的元器件之一。
总之，IRFML8244TRPBF的高效能、可靠性和灵活性使其成为许多用户在选择MOSFET时的首选。无论是在新产品开发还是在现有系统的优化过程中，它都能提供强有力的支持，满足日益增长的功率管理需求。