功率(Pd) | 83W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 28pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V,40A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.7nF@50V | 连续漏极电流(Id) | 80A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.8V@50uA |
BSC070N10NS5是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能N沟道场效应管(MOSFET),具有强大的电流处理能力和出色的电气性能。该器件专为高频开关应用而设计,适用于直流-直流变换器、电源管理和电机控制等多种应用场景。其主要参数包括:额定电压100V、额定电流80A、功率损耗达到2.5W,采用PG-TDSON-8(5x6mm)封装,极大地方便了PCB布局和高密度设计。
BSC070N10NS5在多种应用环境中表现良好,主要包括但不限于:
在使用BSC070N10NS5时,从电路设计的角度,用户需要考虑适宜的栅极驱动电压,以确保MOSFET在开关过程中能快速且稳定地完成导通与关断。此外,应注意负载特性以及热管理措施,以确保设备的长期可靠运行。基于其高电流和高电压的特点,适当的PCB布局设计也非常关键,以降低电感和电阻,提高整体系统的性能。
综上所述,BSC070N10NS5是一个极具竞争力的N沟道MOSFET,凭借其高效能、高可靠性和多用途的特性,适合各种高电流和高效率的应用场合。无论是在电源转换、电机控制,还是在现代汽车电子和储能系统中,均能发挥其优势,为工程师提供更高效、更稳定的解决方案。