BSC070N10NS5 产品实物图片
BSC070N10NS5 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSC070N10NS5

商品编码: BM0167736724
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 100V 80A 1个N沟道 TDSON-8-EP(5x6)
库存 :
47(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
3.28
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.28
--
100+
¥2.62
--
1250+
¥2.62
--
2500+
¥2.62
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC070N10NS5参数

功率(Pd)83W反向传输电容(Crss@Vds)28pF@50V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7mΩ@10V,40A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)38nC@10V
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)2.7nF@50V连续漏极电流(Id)80A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.8V@50uA

BSC070N10NS5手册

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BSC070N10NS5概述

产品概述:BSC070N10NS5

一、基本信息

BSC070N10NS5是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能N沟道场效应管(MOSFET),具有强大的电流处理能力和出色的电气性能。该器件专为高频开关应用而设计,适用于直流-直流变换器、电源管理和电机控制等多种应用场景。其主要参数包括:额定电压100V、额定电流80A、功率损耗达到2.5W,采用PG-TDSON-8(5x6mm)封装,极大地方便了PCB布局和高密度设计。

二、技术规格

  1. 最大耗散功率:BSC070N10NS5的额定功率耗散为2.5W,在正确的散热条件下,可以有效地降低热积累,提高器件的可靠性。
  2. 工作电压范围:该MOSFET的最大漏极-源极电压为100V,适合高压直流系统的应用。
  3. 额定电流:其连续漏极电流高达80A,满足高负载应用的需求,在电力转换和电机驱动等领域表现出色。
  4. 开关特性:该器件具有快速的开关特性,能够有效降低开关损耗,提升转换效率,从而实现更低的能量消耗。
  5. 封装类型:采用PG-TDSON-8封装,尺寸为5x6mm,适合高集成度的电路设计。其平面化的封装设计可以提高散热效率,有助于提升整体性能。

三、性能优势

  1. 高效率:BSC070N10NS5凭借其低开关损耗和导通电阻,可以在不同负载条件下保持卓越的能效,减少热量产生,从而降低系统冷却的需求。
  2. 良好的热管理:其优秀的封装设计使得热分布更加均匀,结合适当的散热措施,可以有效提高其热性能和工作寿命。
  3. 兼容性:该MOSFET能够与多种驱动器和控制器兼容,非常适合与数字信号处理器(DSP)或微控制器(MCU)结合使用,适应于各种现有的电源设计。

四、应用领域

BSC070N10NS5在多种应用环境中表现良好,主要包括但不限于:

  1. 开关电源:在AC-DC电源转换、电源适配器、直流-DC-DC变换器中,可用于高效开关控制。
  2. 电机驱动:在电动机控制和驱动电路中,能够提供高效率和大电流支持。
  3. 储能系统:在电池管理系统(BMS)中,帮助提高能源管理和监测能力。
  4. 汽车电子:广泛应用于电池电源管理、DC-DC转换器等汽车电子模块,提高车辆的能效和性能。

五、设计考虑

在使用BSC070N10NS5时,从电路设计的角度,用户需要考虑适宜的栅极驱动电压,以确保MOSFET在开关过程中能快速且稳定地完成导通与关断。此外,应注意负载特性以及热管理措施,以确保设备的长期可靠运行。基于其高电流和高电压的特点,适当的PCB布局设计也非常关键,以降低电感和电阻,提高整体系统的性能。

六、结论

综上所述,BSC070N10NS5是一个极具竞争力的N沟道MOSFET,凭借其高效能、高可靠性和多用途的特性,适合各种高电流和高效率的应用场合。无论是在电源转换、电机控制,还是在现代汽车电子和储能系统中,均能发挥其优势,为工程师提供更高效、更稳定的解决方案。