制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 43A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 15.8 毫欧 @ 25A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 50µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 71W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D-Pak | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 30nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1150pF @ 50V |
IRFR3806TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,属于 Infineon Technologies 的 HEXFET® 系列。这款场效应管设计用于各种高效能电源管理和开关应用,具备显著的导通电阻和宽广的工作温度范围,非常适合于工业、消费电子及汽车行业的多种应用。
IRFR3806TRPBF 适用于广泛的应用场合,其中包括:
IRFR3806TRPBF 的设计使其在许多场景下表现出色:
在电气性能方面,IRFR3806TRPBF 设计精良,能够提供如下显著优势:
综上所述,IRFR3806TRPBF 是一款出色的 N 通道 MOSFET,适用于需求严格的高功率应用。凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热性能,它为工程师提供了灵活性和高效能解决方案,满足现代电子设备的性能需求。无论是用于电源管理、马达控制还是高效的负载开关,IRFR3806TRPBF 都是一个值得信赖的选择。