IRF7469TRPBF

产品概述：IRF7469TRPBF N通道MOSFET

IRF7469TRPBF是一款高性能的N通道MOSFET，属于Infineon Technologies的HEXFET®系列。该产品封装为8-SOIC（SO-8），适合表面贴装，对电路设计师而言，这种封装形式能够有效实现高密度的电路布线。IRF7469TRPBF具有强大的电流处理能力，额定电流高达9A，适合用于各种功率管理和转换应用。

主要特性：

1. 电流与电阻性能：

   • IRF7469TRPBF在25°C时的连续漏极电流（Id）可以达到9A，表明其在高负载下的表现出色。
   • 它的导通电阻（Rds(on)）最大值为17毫欧（在10V Vgs，9A条件下），低的导通电阻使得该器件在导通时能有效降低功耗，提高系统效率。

2. 操作电压与阈值电压：

   • 该器件的漏源耐压（Vdss）为40V，适用于多种中高压应用场景。
   • Vgs(th)最大值为3V（250μA下），能够保证MOSFET在较低的栅极电压下启动，为设计提供灵活性，使得其适用于5V、10V和4.5V驱动电压的设计方案。

3. 热管理：

   • IRF7469TRPBF的功率耗散能力高达2.5W，这为其在高工作温度环境下的稳定运行提供了保障。其工作温度范围为-55°C至150°C，使其特别适合在严苛环境下操作，如汽车、工业控制和高温应用。

4. 电容特性：

   • 输入电容（Ciss）最大值为2000pF（在20V条件下），配合最大栅极电荷（Qg）23nC，表明该MOSFET具备良好的开关特性和优异的动态响应，适合于高频率开关应用。

应用领域：

IRF7469TRPBF因其出色的电气特性，能够广泛应用于各类电源管理、DC-DC转换、马达驱动、灯光控制等领域。其在高频率和大电流环境下的高效能使其成为汽车电子、计算机电源、消费电子以及工业设备等多个领域的重要选择。

总结：

IRF7469TRPBF是一款经济实用的N通道MOSFET，融合了优良的电流、热管理和动态性能，适合现代高效能电路设计的需求。其出色的导通特性和宽泛的工作范围，使得它成为电源系统设计中的一个理想选择。作为一款可靠的选件，IRF7469TRPBF无疑将助力设计师在节能环保和性能优化的道路上取得显著的进展。通过先进的MOSFET技术，IRF7469TRPBF可以帮助开发出更高效、更可靠的电子产品，满足当今市场对创新和节能的迫切需求。