IPD65R660CFDATMA1
IPD65R660CFDATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 660 毫欧 @ 2.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 200µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 615pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 62.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IPD65R660CFDATMA1手册
IPD65R660CFDATMA1概述
产品概述：IPD65R660CFDATMA1
1. 基本信息
IPD65R660CFDATMA1 是一款由英飞凌（Infineon）制造的 N 型 MOSFET，具备多种优越的技术规格和应用潜力。这款器件的额定漏源电压为 650V，持续漏电流可达到 6A，同时采用领先的 TO-252-3（DPAK）封装，适合表面贴装。该器件不仅稳定可靠，还能在广泛的工作温度范围内运行（-55°C 到 150°C），使其成为各种电子设备的理想选择。
2. 技术规格
IPD65R660CFDATMA1 的关键参数包括：
- 漏源电压 (Vdss): 650V
- 持续漏极电流 (Id): 6A（在额定结温下）
- 最大 Rds(on): 660 毫欧 @ 2.1A，10V
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 4.5V @ 200µA
- 驱动电压 (Vgs): 最大 ±20V，最适合在10V下工作
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 615pF @ 100V
- 栅区电荷 (Qg): 最大值为 22nC @ 10V
- 最大功率耗散: 62.5W（在额定结温Tc）
- 封装类型: TO-252-3 (DPAK)，便于表面贴装
这些参数强调了 IPD65R660CFDATMA1 作为高电压、高效率开关的优越性能，尤其适用于电源管理、消费电子和工业控制等关键领域。
3. 性能特点
3.1 低导通电阻
该器件的最大 Rds(on) 为 660 毫欧，低导通电阻使得在高频和高功率场合下能够有效降低导通损耗，从而提高系统的整体效率。这一点在驱动高效电机和开关电源时尤为重要。
3.2 高耐压能力
650V 的隔离电压使得 IPD65R660CFDATMA1 适用于许多高电压应用，例如高压电源变换器和电力电子系统。这种高耐压能力不仅增强了器件的可靠性，还提升了其在瞬态电压事件下的抗干扰能力。
3.3 宽广的工作温度
该器件能够在-55°C至150°C的广泛温度范围内可靠运行，使其适用于极端环境下的应用，如航空航天、汽车电子和工业设备等。高温及低温的适应性保证了其长寿命和可靠性。
4. 应用领域
IPD65R660CFDATMA1 在多个领域都有广泛的应用潜力：
- 电源管理: 特别是在开关电源（SMPS）中，由于其低导通电阻和高效率，适用于DC-DC转换器和逆变器。
- 电动汽车: 可以用于电动汽车的驱动电路和充电站，提升整体能效。
- 工业控制: 在电机驱动和控制系统中，能够降低能耗，提高系统性能。
- 消费电子: 用于电视、电脑电源适配器以及智能家居设备，提供稳定的电源方案。
5. 总结
总之，IPD65R660CFDATMA1是一款性能稳定、效率高、可靠性强的 N 型 MOSFET。凭借其620W的功率耗散能力、650V的漏源电压以及在极端环境下的广泛适用性，使其成为工业、汽车和消费类电子产品等多种应用场合中的最佳选择。作为英飞凌搞研发的卓越产品，IPD65R660CFDATMA1 将继续在电子元器件领域中发挥影响力，满足不断增长的市场需求。