晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 6.5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 190mV @ 180mA,6.5A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 100mA,2V |
功率 - 最大值 | 1.5W | 频率 - 跃迁 | 160MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 | 供应商器件封装 | SOT-23F |
ZXTN19020DFFTA 是一款高性能的 NPN 型双极晶体管,专为高频和高效能应用设计。该产品具有极优的电流增益及低饱和压降,非常适合于开关电路、放大电路以及其他需要快速切换和高效率的电子设备中。其优异的参数使其在现代电子产品中成为一个理想的选择。
高集电极电流能力:ZXTN19020DFFTA 的最大集电极电流(Ic)可达 6.5A,适用于需要较大电流承载的应用场景,如电源管理和功率放大电路。
优质击穿电压:该晶体管的集射极击穿电压(Vce)最大值为 20V,能够保证其在各种操作条件下的稳定性及可靠性。
低饱和压降:在不同的电流条件下,ZXTN19020DFFTA 展现出优异的 Vce 饱和压降特性,其最大值为 190mV(在 180mA 和 6.5A 时),这意味着它在饱和状态下将使能量损耗降至最低,提高整体能效。
高 DC 电流增益:在 100mA、2V 的条件下,该器件提供了最低 300 的直流电流增益(hFE),保证放大电路的性能,并提供充足的增益以驱动后续电路。
低漏电流:产品的集电极截止电流最大值为 50nA(ICBO),表示在关闭状态下导致的能耗极小,可有效延长设备的使用寿命和提高系统的整体效能。
宽广的工作温度范围:ZXTN19020DFFTA 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,确保了其在不同环境条件下的稳定性,适宜用于航空航天、汽车电子等高要求场合。
高频特性:其跃迁频率为 160MHz,适合应用于高频率的开关和放大电路,满足现代高速电子设备的需求。
ZXTN19020DFFTA 采用了 SOT-23F 封装,这种表面贴装型封装方式提供了较小的占板面积,从而适合用于空间受限的电子设备。其扁平引线设计方便自动化贴片和焊接工艺,使得生产效率大大提高。
ZXTN19020DFFTA 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
ZXTN19020DFFTA 是一款在电流、频率以及温度等多个方面具有优异性能的 NPN 晶体管,凭借其卓越的参数,加之小巧的封装设计,使其在现代电子产品设计中占据了一席之地。无论是在高功率应用还是高频电子电路中,ZXTN19020DFFTA 都是一个值得信赖的选择。随着技术的进步,其在各类电子应用中的需求将继续增长,展现出广阔的市场前景。