DMG302PU-13
DMG302PU-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .35nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | 8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 27.2pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 320mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMG302PU-13手册
DMG302PU-13概述
DMG302PU-13 产品概述
DMG302PU-13 是一款高性能的 P 型沟道 MOSFET，设计用于广泛的低功耗应用。它的紧凑型 SOT-23 封装使其非常适合在空间有限的电子设备中使用。作为一款源极电压高达 25V 的场效应管，DMG302PU-13 主要应用于电源管理、负载开关、信号开关和其他各种需求的控制电路。
关键参数
结构类型: DMG302PU-13 是一种 P 型 MOSFET，采用金属氧化物技术，这意味着该器件采用氧化物绝缘层与金属栅极连接，具有极低的导通电阻和优良的开关性能。
漏源电压 (Vdss): 最高可达 25V，能够承受较高的电压负载，适合各种中低压应用。
连续漏极电流 (Id): 在环境温度为 25°C 时，设备的最大连续漏极电流可达 170mA，确保能够满足一般电流需求。
导通电阻 (Rds(on)): 在 4.5V 的栅极驱动电压下，导通电阻最低可达到 10 欧姆，提供较高的电流传导效率，减少能量损耗。
开启电压 (Vgs(th)): 该设备在栅极电流为 250µA 时的开启电压最大值为 1.5V，这使得驱动电路设计更加灵活。
栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 栅极电压下，栅极电荷达到 0.35nC，表明相对较快的开关速度，减少了在频繁开关应用中的开关损耗。
输入电容 (Ciss): 在 10V 时输入电容最大值为 27.2pF，可以有效地减少信号干扰。
功率耗散: 该器件在环境温度下的最大功率耗散为 320mW，保证了在高负荷时的安全使用。
工作温度范围: DMG302PU-13 的工作温度可在 -55°C 至 150°C 范围内，非常适合于高温及极限环境条件下的操作。
封装与应用
DMG302PU-13 采用 SOT-23 封装，符合 TO-236-3、SC-59 包装标准，具有较小的体积和便于表面贴装的特性，使其在各种紧凑型电路设计中得到了广泛应用。其高集成度和灵活性，非常适合用于消费电子、计算机、工业控制以及汽车电子等领域。
性能优势
DMG302PU-13 的 P 型设计和低导通电阻结合了高效能与高信赖性，使其在控制电路和负载开关应用中表现出色。其低功耗特性进一步提高了设备的整体能效，有助于延长电池供电设备的使用时间，符合现代电子产品愈加严格的能效要求。同时，宽广的工作温度范围以及良好的开关性能，使得该性能指标超出许多同类产品，不仅提升了施加于器件上的应用灵活度，还提高了整体产品的设计表现。
结论
总的来说，DMG302PU-13 MOSFET 是一款设计精良的高效能 P 型场效应管，凭借其优越的电气性能和多功能性，成为低功耗应用中理想的选择。其稳定的工作条件、较低的热损耗和紧凑的封装，使得该器件在现代电子设计中不可或缺。无论在工业、消费或者汽车电子等领域，DMG302PU-13 都可提供可靠、高效的解决方案。