DMP6023LFGQ-7 产品实物图片
DMP6023LFGQ-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP6023LFGQ-7

商品编码: BM0166518800
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
PowerDI3333-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1W 60V 7.7A 1个P沟道 PowerDI3333-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.04
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.04
--
100+
¥2.34
--
1000+
¥2.03
--
2000+
¥1.92
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP6023LFGQ-7参数

制造商Diodes Incorporated系列Automotive, AEC-Q101
包装卷带(TR)零件状态有源
FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.7A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)25 毫欧 @ 5A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
Vgs(最大值)±20V功率耗散(最大值)1W(Ta)
工作温度-55°C ~ 155°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerDI3333-8封装/外壳8-PowerVDFN
漏源电压(Vdss)60V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)53.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2569pF @ 30V

DMP6023LFGQ-7手册

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DMP6023LFGQ-7概述

产品概述:DMP6023LFGQ-7

1. 产品简介

DMP6023LFGQ-7是一款由Diodes Incorporated制造的高性能P沟道MOSFET,专为汽车应用设计,符合AEC-Q101质量标准。该MOSFET器件采用小型化的PowerDI3333-8封装,具有卓越的电气特性和可靠性,适用于各种高压和高电流的开关及放大应用。

2. 关键参数

  • 制造商:Diodes Incorporated
  • FET 类型:P沟道
  • 封装类型:PowerDI3333-8
  • 最大漏源电压 (Vdss):60V
  • 连续漏极电流 (Id):7.7A(在25°C环境温度下)
  • 最大功率耗散:1W
  • 导通电阻 (Rds(on)):25毫欧 @ 10V, 5A
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)):最大3V @ 250µA
  • 最大栅极驱动电压 (Vgs):±20V
  • 工作温度范围:-55°C至155°C
  • 输入电容 (Ciss):最大2569pF @ 30V
  • 栅极电荷 (Qg):最大53.1nC @ 10V

3. 性能特点

DMP6023LFGQ-7 MOSFET的设计旨在实现高效的电流控制与稳健的功率管理。其静态导通电阻低达25毫欧,使得在大电流情况下的能量损失显著降低,从而提高整体系统的能效。此外,此MOSFET高达7.7A的连续漏极电流能力,满足了多种汽车电气系统的需求。

该器件具有宽广的工作温度范围,从-55°C到155°C,确保其在极端环境条件下仍然能提供稳定的性能,适用于恶劣的汽车环境。

4. 应用场景

DMP6023LFGQ-7 MOSFET广泛应用于汽车电子领域,如:

  • 电机驱动:作为电机驱动电路中的开关元件,以实现高效的电力传输。
  • 电源管理:在DC-DC转换器中用于提升电压效率,增强系统整体性能。
  • 灯光控制:在汽车灯光开关中,实现精确的控制与开关功能。
  • 电池管理系统:在电池平衡和监测电路中使用,以管理电池的充电和放电过程。

5. 封装与可焊性

DMP6023LFGQ-7采用的是PowerDI3333-8封装,这种表面贴装型(SMD)设计不仅节省了板面积,还提供了优良的热性能。其特殊的封装形式确保了良好的焊接性能,支持现代自动化生产工艺。同时,该封装也提升了元器件的散热能力,这对于高功率应用尤为重要。

6. 结论

总的来说,DMP6023LFGQ-7 MOSFET是汽车应用的理想选择,其高性能、低导通电阻和极宽工作温度范围,使其在现代汽车电子设计中极具竞争力。无论是用于电机驱动、电源管理还是照明系统,该MOSFET均能满足高效和稳定运行的需求。凭借Diodes Incorporated在元器件领域的深厚技术积累和高标准的质量控制,DMP6023LFGQ-7无疑是提升汽车电气系统性能的可靠选择。