制造商 | Diodes Incorporated | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.7A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 25 毫欧 @ 5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 1W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 155°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 53.1nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2569pF @ 30V |
DMP6023LFGQ-7是一款由Diodes Incorporated制造的高性能P沟道MOSFET,专为汽车应用设计,符合AEC-Q101质量标准。该MOSFET器件采用小型化的PowerDI3333-8封装,具有卓越的电气特性和可靠性,适用于各种高压和高电流的开关及放大应用。
DMP6023LFGQ-7 MOSFET的设计旨在实现高效的电流控制与稳健的功率管理。其静态导通电阻低达25毫欧,使得在大电流情况下的能量损失显著降低,从而提高整体系统的能效。此外,此MOSFET高达7.7A的连续漏极电流能力,满足了多种汽车电气系统的需求。
该器件具有宽广的工作温度范围,从-55°C到155°C,确保其在极端环境条件下仍然能提供稳定的性能,适用于恶劣的汽车环境。
DMP6023LFGQ-7 MOSFET广泛应用于汽车电子领域,如:
DMP6023LFGQ-7采用的是PowerDI3333-8封装,这种表面贴装型(SMD)设计不仅节省了板面积,还提供了优良的热性能。其特殊的封装形式确保了良好的焊接性能,支持现代自动化生产工艺。同时,该封装也提升了元器件的散热能力,这对于高功率应用尤为重要。
总的来说,DMP6023LFGQ-7 MOSFET是汽车应用的理想选择,其高性能、低导通电阻和极宽工作温度范围,使其在现代汽车电子设计中极具竞争力。无论是用于电机驱动、电源管理还是照明系统,该MOSFET均能满足高效和稳定运行的需求。凭借Diodes Incorporated在元器件领域的深厚技术积累和高标准的质量控制,DMP6023LFGQ-7无疑是提升汽车电气系统性能的可靠选择。