DMN6040SVTQ-7
DMN6040SVTQ-7参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 44 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSOT-26 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.4nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1287pF @ 25V |
DMN6040SVTQ-7手册
DMN6040SVTQ-7概述
产品概述：DMN6040SVTQ-7 N沟道MOSFET
DMN6040SVTQ-7是由Diodes Incorporated制造的一款高性能N沟道MOSFET（场效应晶体管），适用于多种电子应用场景。该元器件采用TSOT-26表面贴装封装，广泛用于开关电源、马达驱动和一般电源管理等领域。
关键参数
DMN6040SVTQ-7在25°C的条件下，能够持续承受5A的漏极电流（Id），使其能够处理一定功率的负载。其最大的漏源电压（Vdss）为60V，这为高压应用提供了足够的安全余度。此外，该元器件的最大功率耗散为1.2W，这意味着它可以在不发生过热的情况下有效地工作，适合对散热要求较高的应用。
导通电阻和驱动电压
DMN6040SVTQ-7的导通电阻（Rds(on)）在不同的驱动电压(Vgs)条件下有所变化。在10V的驱动电压下，当漏极电流为4.3A时，其最大导通电阻为44毫欧。这确保了在高负载运行时，元器件具有较低的能量损耗和热量产生，提升了整体系统效率。该MOSFET支持4.5V到10V的驱动电压范围，使其兼容于多种逻辑电平控制信号。
阈值电压和栅极电荷
在操作中，DMN6040SVTQ-7的阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V（测量时漏极电流为250µA），这表明当栅极电压超过3V时，MOSFET 将开始导通，有助于确保在低电压条件下也能实现有效开关。其栅极电荷（Qg）最大值为22.4nC，在10V的条件下，这一特性使得驱动电路的复杂性大幅降低，提高了系统的响应速度。此外，输入电容（Ciss）最大值为1287pF，在25V的条件下，这保证了MOSFET在频繁开关操作时的稳定性。
工作温度和应用范围
DMN6040SVTQ-7具有宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，适应了各种恶劣环境下的应用需求。这些特性使得该MOSFET不仅适用于消费电子产品，还能够满足汽车工业、通信设备、工业自动化及其他高要求应用。
封装和安装
该产品采用TSOT-26封装，具有细型SOT-23-6的特点，适合现代小型化设计要求。表面贴装型的安装方式简化了生产工艺，并适应了多种自动化组装设备，提升了整体生产效率。
总结
作为一款高效、可持续的N沟道MOSFET，DMN6040SVTQ-7在开关电源、马达驱动及众多其他应用中展现了卓越的性能。凭借其低导通电阻、高工作温度范围、适中的电流和电压容限，该部件为设计师在面临高效率和高功率密度要求时提供了灵活的解决方案。选择DMN6040SVTQ-7，一个理想的选项是对电路设计与创新的推动，为更高效能和更小型化的趋势奠定基础。