DMG302PU-7
DMG302PU-7参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | Vgs（最大值） | -8V |
| 功率耗散（最大值） | 330mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.35nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 27.2pF @ 10V |
DMG302PU-7手册
DMG302PU-7概述
DMG302PU-7 产品概述
DMG302PU-7 是一款由Diodes Incorporated生产的高性能P沟道MOSFET。这款元器件的设计旨在满足各种现代电子电路的需求，尤其适用于低功耗和小型化的应用场景。其封装类型为SOT-23-3，符合表面贴装技术（SMD），这种封装方式使得其在电路板上占用的空间极小，非常适合于便携设备和紧凑型电子产品。
主要特性
电流和电压规格： DMG302PU-7的连续漏极电流（Id）在25°C时可达170mA，而漏源电压（Vdss）高达25V。这使得该MOSFET非常适合用于中低电压和中等电流的应用，如开关电源、驱动电路和信号放大等。
导通电阻： 在4.5V的栅极驱动电压下，DMG302PU-7的最大导通电阻为10Ω @ 200mA。这种低导通电阻特性确保了其在工作时能够有效地减少功耗和发热，提高效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）： 此产品的Vgs(th)最大值为1.5V @ 250µA，低阈值电压使得它在低电压开启时也能保持良好的导通性能，为电路设计提供了更大的灵活性。
功率耗散： DMG302PU-7在最大功率耗散方面可达330mW，这在很多电源管理和开关应用中相当有效，是提高系统整体效率的重要因素。
可靠的工作温度范围： 该元器件具有-55°C 到 150°C的广泛工作温度范围，使其适用于高温、高湿等恶劣环境，适合各种行业中的严苛应用，如汽车电子、工业控制及消费电子产品等。
电荷与电容特性： DMG302PU-7的栅极电荷（Qg）在4.5V时最大为0.35nC，以及在10V时输入电容（Ciss）最大为27.2pF。这些参数表明其在高速开关应用中的良好性能，有助于降低驱动电路的功耗。
应用场合
DMG302PU-7的设计使其非常适合以下几种应用场合：
低功耗开关： 由于其低导通电阻和良好的线性特性，该MOSFET能够有效用于低功耗开关电路中，提高开关效率并减少能耗。
电源管理： 在电源管理中的DC-DC转换器和电池管理系统中，该元器件能够帮助实现快速、高效的电源转换，提高系统整体性能。
信号放大： 其低栅阈电压及高频特性使得DMG302PU-7也可以用于轻负荷信号放大应用，满足不同电压和电流条件下的信号处理需求。
驱动电路： 该MOSFET适合用于驱动LED、继电器以及其他负载的电路，为设计师提供了灵活的控制方案。
结论
综上所述，DMG302PU-7是Diodes Incorporated推出的一款优秀的P沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、广泛的工作温度以及适中的电气特性，成为许多电子设计中的理想选择。无论是在电源管理、开关控制，还是信号处理领域，DMG302PU-7都能为产品提供高效、可靠的性能，其小型化的SOT-23-3封装设计，为现代电子设计提供了更多可能性。