DGD2101MS8-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DGD2101MS8-13

商品编码: BM0166518509
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
栅极驱动器
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.42
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.42
--
100+
¥3.68
--
1250+
¥3.34
--
2500+
¥3.1
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DGD2101MS8-13参数

驱动配置高压侧或低压侧通道类型独立式
驱动器数2栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电10V ~ 20V逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)290mA,600mA输入类型非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)600V上升/下降时间(典型值)70ns,35ns
工作温度-40°C ~ 125°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装8-SO

DGD2101MS8-13手册

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无数据

DGD2101MS8-13概述

产品概述:DGD2101MS8-13 栅极驱动器

一、产品简介

DGD2101MS8-13 是一款高性能的栅极驱动器,由知名的电子元器件制造商 DIODES(美台)制造,适用于高压和低压电路的高效控制。这款产品采用表面贴装技术(SMD),封装形式为 SO-8,具备卓越的电气性能和宽广的工作温度范围,适合于多种工业应用与高可靠性要求的场合。

二、基础参数

DGD2101MS8-13 具备一系列显著的技术参数,使其在各种应用中均能表现出色:

  • 驱动配置:产品支持高压侧和低压侧的驱动配置,适用性强。
  • 通道类型:独立式通道设计,便于实现多路控制,提升了设计灵活性。
  • 驱动器数:内置两个驱动器,能够驱动复杂的电路配置。
  • 栅极类型:兼容 IGBT 和 N 沟道 MOSFET,能够满足不同半导体器件需求。
  • 电压 - 供电:支持 10V 到 20V 的供电范围,易于与多种电源系统兼容。
  • 逻辑电压 - VIL, VIH:逻辑输入电压为 0.8V 及 2.5V,确保与数字控制电路的良好匹配。
  • 电流 - 峰值输出:在灌入和拉出时的峰值输出电流分别为 290mA 和 600mA,足以驱动高负载应用。
  • 输入类型:非反相输入设计,简化了控制电路的设计。
  • 最大高压侧电压(自举):最高可承受 600V,满足高压功率应用的需求。
  • 上升/下降时间:典型的上升和下降时间分别为 70ns 和 35ns,适合高频开关应用。
  • 工作温度范围:-40°C 到 125°C 的温度范围确保该器件在严酷环境下的可靠性。
  • 安装类型和封装:采用 SO-8 封装,便于批量生产时的安装,节省空间。

三、应用场景

DGD2101MS8-13 的广泛应用场景包括但不限于以下几个方面:

  1. 电源转换器:在高效能开关电源(SMPS)中,DGD2101MS8-13 可用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT,提高转换效率和可靠性。
  2. 电动汽车:驱动电动汽车的电机控制系统,提供对高压 MOSFET 的有效控制,确保电机的稳定运行。
  3. 工业驱动:在工业自动化设备和机器人中,作为高压设备的驱动器,可提高控制精度和响应速度。
  4. 可再生能源:如光伏逆变器和风能系统,DGD2101MS8-13 可作为开关元件的驱动,提升系统效率和稳定性。

四、总结

DGD2101MS8-13 栅极驱动器集成了多项优越的性能指标,是设计高效能电源管理和驱动系统的理想选择。凭借其广泛的应用场景、卓越的电气性能、可靠的工作环境适应性,DGD2101MS8-13 在现代电子设计中具有重要的市场潜力和应用价值。无论是在消费电子、工业自动化还是可再生能源领域,该产品均能提供出色的支持,为客户带来更高的系统效率和更好的产品性能。