驱动配置 | 高压侧或低压侧 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 290mA,600mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 70ns,35ns |
工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
DGD2101MS8-13 是一款高性能的栅极驱动器,由知名的电子元器件制造商 DIODES(美台)制造,适用于高压和低压电路的高效控制。这款产品采用表面贴装技术(SMD),封装形式为 SO-8,具备卓越的电气性能和宽广的工作温度范围,适合于多种工业应用与高可靠性要求的场合。
DGD2101MS8-13 具备一系列显著的技术参数,使其在各种应用中均能表现出色:
DGD2101MS8-13 的广泛应用场景包括但不限于以下几个方面:
DGD2101MS8-13 栅极驱动器集成了多项优越的性能指标,是设计高效能电源管理和驱动系统的理想选择。凭借其广泛的应用场景、卓越的电气性能、可靠的工作环境适应性,DGD2101MS8-13 在现代电子设计中具有重要的市场潜力和应用价值。无论是在消费电子、工业自动化还是可再生能源领域,该产品均能提供出色的支持,为客户带来更高的系统效率和更好的产品性能。