商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
绝缘栅场效应管(MOSFET)是一种通过电场效应控制电流的半导体器件,广泛应用于开关电源、信号调理、模拟开关以及电机驱动等领域。作为一种重要的电子元器件,MOSFET因其高输入阻抗、快速开关速度和良好的热稳定性,成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。
2N7002 H6327是由英飞凌(Infineon)生产的一款N沟MOSFET,采用PG-SOT23-3封装,具有良好的电气性能和尺寸优势,适用于各种低功耗应用。该器件具备高开关频率、高输入阻抗及低栅极驱动功耗的特点,能够有效降低电路设计的能耗,提高整体系统的效率。
结构与封装:
电气特性:
开关特性:
工作温度:
2N7002 H6327 MOSFET的广泛应用涵盖了多个领域,包括但不限于:
2N7002 H6327作为英飞凌的一款高性能N沟MOSFET,凭借其优越的电气性能、低功耗特性和小巧封装,广泛应用于各种现代电子设计中。无论是在消费电子、工业设备还是通信设备中,2N7002都以其出色的性能满足了设计师对高效能和高可靠性的要求。选择2N7002 H6327,意味着选择了一款能够在高效能和灵活性之间找到平衡的优质MOSFET,助力于推动电子技术的进步与创新。