2N7002 H6327 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2N7002 H6327

商品编码: BM0165305771
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-SOT23-3
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.363
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.363
--
200+
¥0.234
--
1500+
¥0.203
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

2N7002 H6327参数

商品分类场效应管(MOSFET)工作温度-55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)60V类型1个N沟道

2N7002 H6327手册

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2N7002 H6327概述

产品概述:2N7002 H6327 MOSFET

一、技术背景

绝缘栅场效应管(MOSFET)是一种通过电场效应控制电流的半导体器件,广泛应用于开关电源、信号调理、模拟开关以及电机驱动等领域。作为一种重要的电子元器件,MOSFET因其高输入阻抗、快速开关速度和良好的热稳定性,成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。

二、产品介绍

2N7002 H6327是由英飞凌(Infineon)生产的一款N沟MOSFET,采用PG-SOT23-3封装,具有良好的电气性能和尺寸优势,适用于各种低功耗应用。该器件具备高开关频率、高输入阻抗及低栅极驱动功耗的特点,能够有效降低电路设计的能耗,提高整体系统的效率。

三、主要特性

  1. 结构与封装

    • 封装类型:PG-SOT23-3,尺寸小巧,适合高密度板级设计。
    • 引脚排列简单明了,便于焊接和安装,提升生产效率。
  2. 电气特性

    • 额定漏极电压 (V_DS):最大可承受的漏极至源极电压,通常为60V,对于大部分低压应用来说是理想的选择。
    • 额定漏极电流 (I_D):可提供高达200mA的连续电流,能够满足多种实验室和商业应用的需求。
    • 低导通电阻 (R_DS(on)):这款MOSFET在额定条件下的导通电阻非常低(约为1.3Ω),有效减少了在开关工作状态下的功耗和热量。
  3. 开关特性

    • 快速开关速度:适合于高频开关应用,可达百千赫兹甚至更高,能够适应现代开关电源的需求。
    • 高输入阻抗:输入阻抗高达数百千欧,允许用更小的栅极驱动电流来控制,简化了驱动电路设计。
  4. 工作温度

    • 支持广泛的工作温度范围,一般可在-55°C至+150°C之间正常工作,适合于多种条件下的应用。

四、应用领域

2N7002 H6327 MOSFET的广泛应用涵盖了多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源:其高频率特性非常适合用于开关电源中,提升能效和稳定性。
  • 电机驱动:可用作电机驱动器中的开关元件,控制电机的启停和速度调节。
  • 信号开关:能够在低功耗电路中充当开关,例如用于信号切换和逻辑电路中。
  • LED驱动:适用于LED照明和显示应用,通过调节电流实现亮度控制。

五、总结

2N7002 H6327作为英飞凌的一款高性能N沟MOSFET,凭借其优越的电气性能、低功耗特性和小巧封装,广泛应用于各种现代电子设计中。无论是在消费电子、工业设备还是通信设备中,2N7002都以其出色的性能满足了设计师对高效能和高可靠性的要求。选择2N7002 H6327,意味着选择了一款能够在高效能和灵活性之间找到平衡的优质MOSFET,助力于推动电子技术的进步与创新。