功率(Pd) | 3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 88.7pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 38mΩ@10V,9A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 35.1nC |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.049nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 9A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA |
品牌: NCE(新洁能)
封装: SOP-8
NCE60P09S是新洁能公司(NCE)推出的一款高性能功率MOSFET,属于N通道MOSFET系列,广泛应用于各种电子电路中。该器件的设计目标是提供卓越的导通性能和高效的开关能力,适用于电源管理、逆变器、LED驱动以及电机驱动等领域。
NCE60P09S的主要规格参数包括:
该器件采用SOP-8封装,提供了良好的散热性能和较小的占板空间,非常适合现代电路设计中对小型化和高效散热的需求。
NCE60P09S广泛应用于以下几个主要领域:
电源管理: 在开关电源(SMPS)中,NCE60P09S充当主开关元件,能够快速切换,从而提高电源转换效率,降低热耗散。
逆变器: 该MOSFET常用于太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,能够有效地处理高电压和高电流的工作状态。
LED驱动: 在LED驱动电路中,NCE60P09S能够提供稳定和高效的电流控制,帮助延长LED的使用寿命。
电机驱动: 在电机驱动应用中,该MOSFET可用作H桥电路的开关,能实现高效率和快速响应的电机控制。
NCE60P09S是一款高性能的功率MOSFET,凭借其优异的导通性能与开关性能,广泛应用于电源管理、逆变器、LED驱动等多个领域。通过采用SOP-8封装,NCE60P09S在确保性能的同时,也优化了PCB空间的使用,是设计工程师在选择高效能器件时的理想选择。随着电子产品对能效和散热管理要求的不断提升,NCE60P09S将会在未来的电子设计中扮演越来越重要的角色。