SSM3K16CTC,L3F 产品实物图片
SSM3K16CTC,L3F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SSM3K16CTC,L3F

商品编码: BM0165298613
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
CST3-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 200mA 1个N沟道 SC-101(SOT-883)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2
--
100+
¥1.59
--
500+
¥1.46
--
2500+
¥1.37
--
5000+
¥1.31
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

SSM3K16CTC,L3F参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mAVgs(最大值)±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)12pF @ 10V功率耗散(最大值)500mW(Ta)
工作温度150°C安装类型表面贴装型
供应商器件封装CST3C封装/外壳SC-101,SOT-883

SSM3K16CTC,L3F手册

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SSM3K16CTC,L3F概述

SSM3K16CTC, L3F 产品概述

产品简介

SSM3K16CTC, L3F 是由东芝(TOSHIBA)生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件主要 designed to meet 在各种电子应用中使用的需求,性能稳定,适应广泛的工作环境。

主要特性

  • FET 类型:N 通道,适用于高效的电流开关控制。
  • 工作电压:漏源电压(Vds)最大可承受20V,适合于中低电压电路应用。
  • 电流能力:在室温(25°C)下,最大连续漏极电流(Id)为200mA,满足对小型电流控制的需求。
  • 电阻特性:在4.5V的栅源电压(Vgs)下,最大导通电阻(Rds(on))为2.2Ω,能够有效降低导通损耗,提高整体效率。
  • 驱动电压范围:该器件能够在1.5V至4.5V范围内操作,适合与逻辑电平信号兼容的应用场合。
  • 阈值电压:在1mA下,最大栅源阈值电压(Vgs(th))为1V,优化了开关控制的灵敏度。
  • 输入电容:最大输入电容(Ciss)为12pF(在10V时),确保快速响应和高频应用。
  • 功率耗散:最高功率耗散达到500mW,能够承受较高的功率负荷。
  • 工作温度:高达150°C的工作温度范围使其在恶劣环境下稳定工作。
  • 封装特点:采用表面贴装型SC-101(SOT-883)封装,适合现代紧凑型电路设计,便于自动化焊接和减小PCB面积。

应用领域

SSM3K16CTC, L3F MOSFET 广泛应用于以下几个领域:

  1. 电源管理:在开关电源及DC-DC转换器中充当开关元件,实现高效的电压转换与调节,优化电源效率。
  2. 信号开关:可用于音频信号、射频和数字信号的开关切换,常见于音响、电视及通信设备中。
  3. 电机驱动:在小功率电机的驱动电路中作为控制元件,能够实现精准的电流控制与调节。
  4. 消费电子:广泛应用于各种消费电子产品中,包括移动设备,电视机,家用电器等,设计灵活、升降电压能力强。
  5. 工业控制系统:在工业领域,SSM3K16CTC可以被用于各种控制系统,助力智能化与自动化的实现。

竞争优势

该MOSFET具备高效的导通性能与优良的电流控制特性,低导通电阻的设计使得其在机器和电子产品中的能耗更低,运行更稳定。此外,东芝的品牌信誉与产品的质量保障使得SSM3K16CTC成为了电子设计工程师的信赖选择。

总结

SSM3K16CTC, L3F是东芝推出的一款高效能N沟道MOSFET,凭借其宽广的电压范围、优良的电流及热性能,适用于多种电子设备和工业应用。其小型化设计与高适应性帮助工程师提升了产品设计的灵活性和市场竞争力。从电源管理到消费电子产品,SSM3K16CTC以其卓越的性能与可靠性,为现代电子世界提供了强有力的支持。