FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 12pF @ 10V | 功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) |
工作温度 | 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | CST3C | 封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
SSM3K16CTC, L3F 是由东芝(TOSHIBA)生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件主要 designed to meet 在各种电子应用中使用的需求,性能稳定,适应广泛的工作环境。
SSM3K16CTC, L3F MOSFET 广泛应用于以下几个领域:
该MOSFET具备高效的导通性能与优良的电流控制特性,低导通电阻的设计使得其在机器和电子产品中的能耗更低,运行更稳定。此外,东芝的品牌信誉与产品的质量保障使得SSM3K16CTC成为了电子设计工程师的信赖选择。
SSM3K16CTC, L3F是东芝推出的一款高效能N沟道MOSFET,凭借其宽广的电压范围、优良的电流及热性能,适用于多种电子设备和工业应用。其小型化设计与高适应性帮助工程师提升了产品设计的灵活性和市场竞争力。从电源管理到消费电子产品,SSM3K16CTC以其卓越的性能与可靠性,为现代电子世界提供了强有力的支持。