CSD17307Q5A
CSD17307Q5A参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.5 毫欧 @ 11A，8V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3V，8V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta），73A（Tc） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 700pF @ 15V | Vgs（最大值） | +10V，-8V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.2nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 功率耗散（最大值） | 3W（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
CSD17307Q5A手册
CSD17307Q5A概述
CSD17307Q5A 产品概述
一、产品简介
CSD17307Q5A 是由德州仪器（TI）生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 8-VSONP（5x6mm）封装，特别设计用于高效电源管理应用。这款 MOSFET 在诸如DC-DC 转换器、负载开关及电机驱动等场合表现出色，能够在负载较高的条件下工作，满足现代电子设备对小型化、高效能的需求。
二、技术参数
CSD17307Q5A 提供了一系列优越的电气性能，具体参数如下：
导通电阻 (Rds(on))：在 11A 的条件下，最大导通电阻为 10.5 毫欧，且在 8V 驱动下表现出色。这使得其在高电流条件下损耗降低，从而提升了整体系统的效率。
漏极电流 (Id)：该MOSFET的连续漏极电流为 14A（在环境温度下），而在结温 (Tc) 达到 150°C 时，漏极电流可达到 73A，展现出强大的散热性能和负载能力。
栅极驱动电压 (Vgs)：支持最低 3V 至最高 10V 的栅极驱动电压，使得 CSD17307Q5A 可以与多种控制器（如微控制器和数字信号处理器）兼容，简化了系统设计。
漏源电压 (Vdss)：该产品的漏源电压为 30V，适用于绝大多数中低压电源管理应用。
输入电容 (Ciss)：其最大输入电容为 700pF，在 15V 条件下测得，这一特性使得 CSD17307Q5A 的开关速度更快，有助于提高整体电源转换效率。
栅极电荷 (Qg)：在 4.5V 的栅极电压下，最大栅极电荷为 5.2nC，指示其良好的开关性能，适合高速开关应用。
工作温度范围：支持的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，能够在极端环境下可靠工作。
三、应用场景
CSD17307Q5A 由于其优良的电气特性和热管理能力，广泛应用于多个领域，包括：
DC-DC 转换器：在开关电源和Buck/Boost转换器中，MOSFET 可以用作开关元件，确保高效能的功率转换。
负载开关：可以用作各种负载的智能开关，适用于低功耗电子设备。
电机控制：与电机驱动电路相结合，能够提供有效的铅电机控制。
消费电子：在手机、平板电脑和其他移动设备中，提供高效、紧凑的电源解决方案。
电动车辆：在电动车辆的动力系统和充电控制器中，都能找到该产品的身影，充分展示其高的功率密度和转换效率。
四、总结
CSD17307Q5A 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET，凭借其出色的电流处理能力、低导通电阻、宽温度范围和优秀的开关性能，成为成为现代电子设备中不可或缺的元件。无论是在低压电源管理还是在高效电机控制中，CSD17307Q5A 都能帮助工程师提高系统性能、降低功耗，推动电子产品的小型化和高性能化。对于需要高密度电源设计的工程师，CSD17307Q5A 无疑是一个值得考虑的优质选择。