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SWD4N80D 产品实物图片
SWD4N80D 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SWD4N80D

商品编码: BM0153477854
品牌 : 
Samwin(芯派)
封装 : 
TO-252
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.2Ω 800V 4A TO-252
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.2
按整 :
托盘(1托盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.2
--
100+
¥1.7
--
1250+
¥1.47
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

SWD4N80D参数

功率(Pd)156.3W反向传输电容(Crss@Vds)9.5pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.2Ω@10V,2A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V
漏源电压(Vdss)800V输入电容(Ciss@Vds)679pF@25V
连续漏极电流(Id)4A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

SWD4N80D手册

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SWD4N80D概述

SWD4N80D 产品概述

一、产品简介

SWD4N80D 是一种高性能的场效应管(MOSFET),具有 3.2Ω 的输出电阻,能够承受高达 800V 的电压以及 4A 的输出电流,封装采用 TO-252 形式,旨在满足当前各种功率电子设备对高效率、低开关损耗和高可靠性的需求。该元器件由知名品牌 Samwin(芯派)制造,凭借其优越的性能特征,SWD4N80D 被广泛应用于电源管理、马达驱动和其它需要高频开关的电路中。

二、产品特点

  1. 高耐压能力:SWD4N80D 可以在最高 800V 的工作电压下稳定运行,这使得它特别适合于高压电源应用,如开关电源、高压变换器等。

  2. 低导通电阻:3.2Ω 的导通电阻有助于降低能量损耗,提高工作效率。对于要求高效率的应用,SWD4N80D 具备良好的竞争优势。

  3. 合理的功率等级:可以承担高达 4A 的电流,适用于多种功率应用,这使得设计师能够在多种电路中灵活应用。

  4. TO-252 封装:符合 TO-252 封装标准的设计不仅方便在电路板上的安装,同时也有助于散热,使其在高功率操作条件下表现稳定。

  5. 良好的热性能:根据其封装设计,SWD4N80D 在工作过程中具有良好的热管理,减少了过热导致性能下降或者元器件损坏的可能性。

三、应用领域

SWD4N80D 的高耐压能力和低导通电阻使其在多个应用领域表现出色,包括:

  1. 开关电源(SMPS):在电源转换过程中,问传功率损耗是设计中的一大挑战,SWD4N80D 的低导通损耗及高耐压特性使其成为开关电源设计中的优先选择。

  2. 马达驱动控制:在控制电机和高频开关驱动电路中,SWD4N80D 的快速开关特性和高电流能力使其能够有效地驱动不同类型的电机。

  3. 电气隔离:在需要高电压隔离的应用场合,SWD4N80D 提供了良好的解决方案,助力于设计安全可靠的电气隔离系统。

  4. LED 驱动电源:在高亮度 LED 照明系统中,SWD4N80D 的热性能和功率处理能力使其能够在高效驱动系统中发挥关键作用。

四、工作参数

在实际使用阶段,SWD4N80D 需要注意的工作参数包括:

  • 最大漏电压 (VDS):800V
  • 最大连续漏电流 (IDS):4A
  • 最大功耗 (PD):根据散热条件和工作环境的不同,最大功耗需进行合理评估。
  • 环境温度范围:适用于多种环境,确保在不同的温度条件下保持良好的性能。

五、总结

作为一款高可靠性的场效应管,SWD4N80D 结合了出色的电气特性与稳定的工作表现,适用于各种高压、低损耗及高效率的电力电子应用。凭借其优越的性能和多样的应用领域,SWD4N80D 无疑是现代电子设计中不可或缺的重要元器件。设计师在选择 MOSFET 时,可以根据其具体的电路需求,在 SWD4N80D 的基础上进行更为灵活且有效的电路设计。