DMTH6016LSD-13
DMTH6016LSD-13参数
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.6A（Ta） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 864pF @ 30V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
DMTH6016LSD-13手册
DMTH6016LSD-13概述
DMTH6016LSD-13 产品概述
一、产品概述
DMTH6016LSD-13是一款由DIODES公司制造的高性能N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)，具有双通道设计。该元件以其优良的电气性能和广泛的工作温度范围，适用于多种应用领域，特别是需要高效开关控制的场合。无论是在电源管理、驱动电路还是在其他现代电子设备中，DMTH6016LSD-13都能提供卓越的性能。
二、技术参数
FET类型： 该器件为双N通道FET，便于实现高效的开关控制。
电流处理能力： 在25°C的环境条件下，连续漏极电流(I_d)能够达到7.6A，适合驱动较大负载。
导通电阻： 在10A和10V条件下，最大导通电阻为19.5毫欧，该较低的导通电阻使得器件在工作时能够有效降低功耗，提高系统的整体效率。
阈值电压(Vgs(th))： 在250µA下，阈值电压最大值为2.5V，使得该MOSFET可以在较低的栅压下工作，满足多种应用需求。
栅极电荷和输入电容： 该器件在10V时的栅极电荷(Qg)最大值为17nC，而在30V时的输入电容(Ciss)最大值为864pF，展示了其良好的开关特性，适合快速开关应用。
工作温度范围： DMTH6016LSD-13支持-55°C至150°C的温度范围，确保其在极端环境条件下依然稳定工作。
封装与安装类型： 该器件采用SO-8封装，表面贴装型设计便于集成于各种电路板，适合批量生产和自动化焊接。
三、应用场景
DMTH6016LSD-13的设计与性能使其非常适合以下应用领域：
电源管理: 适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和电池管理系统，能够有效提升系统效率和降低热量产生。
电机驱动: 该MOSFET可用于电机驱动电路，满足对快速开关和高电流输出的需求，尤其是无刷直流电机驱动。
通用开关: 在各类电子设备中作为通用开关，提供可靠的开关性能，适合用于LED驱动和负载切换等场合。
四、总结
DMTH6016LSD-13是一款具有卓越性能的双N沟道MOSFET，提供了出色的电流处理能力、低导通电阻以及广泛的温度适应能力。其SO-8封装较为紧凑，并适合表面贴装技术，使得DMTH6016LSD-13在现代电子产品中得到了广泛应用。无论是电源管理电路还是电机驱动，皆能凭借该元件在极端条件和高效率运行下，满足设计需求，是设计师在选用替代器件时的重要选择。