FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 5.1A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC @ 5V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1079pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro6™(TSOP-6) |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
1. 产品简介
IRLMS6802TRPBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET (金属氧化物场效应管),由知名的半导体制造商英飞凌 (Infineon) 提供。该 MOSFET 设计出色,具有低导通电阻和高漏极电流能力,广泛应用于各种电源管理和开关应用场合,尤其是在需要高效率和小型化设计的场合。
2. 基本参数
3. 电气特性
IRLMS6802TRPBF MOSFET 在不同工作条件下展示了出色的电气特性:
4. 功率处理能力
5. 封装与安装
IRLMS6802TRPBF MOSFET 采用表面贴装型封装(SOT-23-6),在节省空间的同时方便自动化贴装。其 Micro6™(TSOP-6)封装有助于提高电路板的集成度,使其适用于更紧凑的设计需求。
6. 应用领域
7. 结论
IRLMS6802TRPBF MOSFET 是一款具有极高性价比的 P 通道器件,凭借其卓越的电气性能,广泛应用于现代电子电路中,从而满足了市场对高效、可靠和紧凑设计的需求。其独特的工作温度范围及低 Rds On 特性,也使其成为许多严苛环境下的理想选择。无论是在高频响应、能量转换效率还是空间节省方面,IRLMS6802TRPBF 都提供了出色的解决方案,是电源与开关管理领域的重要组成部分。