BSC0902NSIATMA1
BSC0902NSIATMA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Ta），100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 10mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），48W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-6 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500pF @ 15V |
BSC0902NSIATMA1手册
BSC0902NSIATMA1概述
产品概述：BSC0902NSIATMA1
概览
BSC0902NSIATMA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）制造的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于其 OptiMOS™ 系列，专为高效率和高功率密度应用而设计。通过采用先进的制造工艺，该器件在高温和高电流操作下具备出色的电气性能，适用于各种电子应用，包括开关电源、马达驱动器和逆变器等。
主要特点
高电流承载能力
BSC0902NSIATMA1 在 25°C 的环境温度下，具有最高可达 23A 的连续漏极电流（Id）。在特定的冷却条件下，器件的电流承载能力更是高达 100A，这为设计高功率应用提供了强大支持。低导通电阻
该 MOSFET 在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻（Rds(on)）可低至 2.8 毫欧，确保在运行过程中能有效降低功耗并提升效率。这一特性尤为重要，尤其在需要高频开关的应用场景中，能够显著减少热量产生和能量损耗。宽工作温度范围
BSC0902NSIATMA1 的结温范围广泛，在 -55°C 至 150°C 之间，适合在极端温度条件下工作，使其适用于汽车、工业和航空等各种严苛环境下的应用。良好的驱动特性
本器件支持 4.5V 至 10V 的驱动电压范围，具有较低的栅极电荷（Qg），在 10V 时最大为 32nC。这为开关频率要求高的应用提供了更高的驱动效率，并降低了外部驱动电路的功耗。紧凑封装设计
BSC0902NSIATMA1 使用 PG-TDSON-8-6 封装类型，尺寸纤细，易于表面贴装，适合现代电子设备中对空间有严格要求的应用。其 8-PowerTDFN 封装设计不仅有助于实现高集成度，还优化了热管理性能。高功率耗散能力
它的最大功率耗散能力为 2.5W（在环境温度下）及 48W（在冷却条件下），使其能够在各种工作条件下保持稳定的性能和可靠性。
应用场景
BSC0902NSIATMA1 优良的电气和热性能设计使其适用于多种应用，包括但不限于：
开关电源（SMPS）
由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件非常适合用于开关电源的高侧或低侧开关，能够有效提升电源的转换效率。电动马达驱动
在 DC/AC 变换器和电动驱动应用中，BSC0902NSIATMA1 由于其高电流能力和低发热特性，可用于高效能马达驱动和控制系统中。电力逆变器
能源管理系统、光伏发电设备及其他逆变器系统能够从该 MOSFET 的出色导通性能中受益，有助于提高整体能量转换效率。电池管理系统
在电动车及其他可再生能源解决方案中，BSC0902NSIATMA1 可用于电池充放电控制，维持高效能与安全性。
结论
BSC0902NSIATMA1 是一款兼具高性能与高稳定性的 N 通道 MOSFET，适合用于各类对功率密度和效率要求高的应用。其卓越的电气参数、广泛的温度适应范围和优化的封装设计，使其成为现代电子设计中不可或缺的重要选择。借助英飞凌在半导体技术领域的深厚积累，客户能够依靠此产品满足最新的设计挑战，并驱动下一代高效能电力电子解决方案的实现。