功率(Pd) | 150W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 88pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6mΩ@10V,16A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 43nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.6nF@25V | 连续漏极电流(Id) | 120A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
产品简介
STL210N4F7是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的绝缘栅场效应管(MOSFET),其特色在于高效率、高功率处理能力和优良的热性能。采用PowerFLAT 5x6封装,这款MOSFET具有紧凑的体积和出色的散热特性,广泛应用于电源管理、开关电源以及各种高效能的电力电子设备中。
封装特性
PowerFLAT 5x6封装是一种表面贴装(SMD)封装,尺寸为5mm x 6mm,具有较低的高度,适合现代电子设备中对空间的严格要求。该封装设计优化了导热性能,可以有效地降低器件的工作温度,减少效率损失。除此之外,PowerFLAT封装的焊接性能优越,支持自动化生产,为大规模生产提供了便利。
电气特性
STL210N4F7在电气特性方面表现出色,具有以下主要参数:
额定电压和电流:
开关特性:
热性能:
应用领域
由于其众多优势,STL210N4F7 MOSFET被广泛应用于以下多个领域:
开关电源(SMPS):
电动汽车:
电源调节和控制应用:
工业设备:
总结
总的来说,STL210N4F7 MOSFET是STMicroelectronics为满足现代高效能电力电子设备需求而精心设计的一款器件。其优秀的电气参数、出色的热管理能力以及适应广泛的应用场景,使其成为工业界、消费电子及电动汽车等多个领域不可或缺的组成部分。随着技术的发展和市场需求的变化,STL210N4F7 MOSFET将在未来的电力电子行业中继续发挥重要角色,为提高能源使用效率和推动可持续发展贡献力量。