STL210N4F7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STL210N4F7

商品编码: BM0151099014
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
PowerFLAT 5x6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
1035(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
4
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4
--
100+
¥3.33
--
750+
¥3.08
--
1500+
¥2.94
--
3000+
¥2.8
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

STL210N4F7参数

功率(Pd)150W反向传输电容(Crss@Vds)88pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.6mΩ@10V,16A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)43nC@10V
漏源电压(Vdss)40V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)3.6nF@25V连续漏极电流(Id)120A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

STL210N4F7手册

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STL210N4F7概述

STL210N4F7 产品概述

产品简介

STL210N4F7是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的绝缘栅场效应管(MOSFET),其特色在于高效率、高功率处理能力和优良的热性能。采用PowerFLAT 5x6封装,这款MOSFET具有紧凑的体积和出色的散热特性,广泛应用于电源管理、开关电源以及各种高效能的电力电子设备中。

封装特性

PowerFLAT 5x6封装是一种表面贴装(SMD)封装,尺寸为5mm x 6mm,具有较低的高度,适合现代电子设备中对空间的严格要求。该封装设计优化了导热性能,可以有效地降低器件的工作温度,减少效率损失。除此之外,PowerFLAT封装的焊接性能优越,支持自动化生产,为大规模生产提供了便利。

电气特性

STL210N4F7在电气特性方面表现出色,具有以下主要参数:

  1. 额定电压和电流

    • 最大漏极源极电压(V_DS):40V
    • 连续漏极电流(I_D):210A(在适当的散热条件下)
  2. 开关特性

    • 低导通电阻(R_DS(on))是其显著优势之一,值可低至10mΩ(典型值),这在高负载条件下可以有效减少能量损耗,提高整体效率。
    • 快速开关响应时间,适合高频应用。
  3. 热性能

    • STL210N4F7具有良好的热管理能力,可以在高达175°C的环境温度下稳定运行。
    • 结合其功率及封装特性,使其在高功率密度应用中具有优越的散热表现。

应用领域

由于其众多优势,STL210N4F7 MOSFET被广泛应用于以下多个领域:

  1. 开关电源(SMPS)

    • 在DC-DC变换器、电池管理系统以及不间断电源(UPS)中,STL210N4F7以其高效能为终端产品提供稳定的电源。
  2. 电动汽车

    • 在电动汽车的动力系统中,MOSFET可用于电机驱动和逆变器中,以实现高效的动力转换和控制。
  3. 电源调节和控制应用

    • MOSFET还可广泛用于智能家居设备、LED照明、电源管理IC等场合,促进能效优化和智能控制。
  4. 工业设备

    • 在工业自动化设备及机器人技术中,STL210N4F7在电机驱动和能量收集应用中发挥着越来越重要的作用。

总结

总的来说,STL210N4F7 MOSFET是STMicroelectronics为满足现代高效能电力电子设备需求而精心设计的一款器件。其优秀的电气参数、出色的热管理能力以及适应广泛的应用场景,使其成为工业界、消费电子及电动汽车等多个领域不可或缺的组成部分。随着技术的发展和市场需求的变化,STL210N4F7 MOSFET将在未来的电力电子行业中继续发挥重要角色,为提高能源使用效率和推动可持续发展贡献力量。