晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 220 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 265mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-723 | 供应商器件封装 | SOT-723 |
产品名称: BC856BM3T5G
品牌: ON Semiconductor (安森美)
类型: PNP 晶体管
封装类型: SOT-723
BC856BM3T5G 是一款高性能的 PNP 型双极性晶体管(BJT),专为各种电子应用而设计。由于其卓越的电气性能和宽广的工作温度范围,这款晶体管在低功耗、高频和低噪音的电子电路中表现出色。其紧凑的 SOT-723 封装使其适合表面贴装技术(SMT),在现代电子产品的小型化趋势下尤为受欢迎。
BC856BM3T5G 的关键电气参数如下:
BC856BM3T5G 的直流电流增益 (hFE) 在220以上 @ 2mA, 5V这表明其在常规操作下具有良好的增益特性。高hFE值意味着在较小的基极电流下能够控制较大的集电极电流,使其在放大和开关应用中表现出色。
BC856BM3T5G 被广泛应用于多种电子产品中,包括:
作为一款表面贴装型晶体管,BC856BM3T5G 采用 SOT-723 封装,其小体积和轻量化设计非常理想,适合自动化生产线的贴装工艺。这种封装形式使得在电子设备中进行空间优化成为可能,同时也降低了PCB的整体重量。
BC856BM3T5G PNP 晶体管是安森美推出的一款性能均衡的器件,凭借其高可靠性和优异的电气特性,能够满足现代电子设备对小型化、高效能和复杂性的需求。对于设计师而言,BC856BM3T5G 是实现各种低功耗、高增益和高频应用的理想选择。