FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 620V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.95 欧姆 @ 1.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 450pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 70W(Tc) | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
产品名称: STD4N62K3
品牌: ST (意法半导体)
类型: N通道MOSFET
封装: DPAK (TO-252-3)
STD4N62K3是一款高性能的N通道场效应管 (MOSFET),主要设计用于高压功率转换和开关应用。该器件能够承受高达620V的漏源电压,且在连续漏极电流条件下(3.8A,Tc),能够保证稳定的性能。这款MOSFET的功率耗散能力高达70W,适合处理较高功率的电路。
STD4N62K3由于其高电压、高电流能力和良好的热稳定性,适合广泛的电子应用,包括但不限于:
STD4N62K3表现出色的导通性能和较低的开关损耗使其适合于频繁的开关应用。其高耐压特性可有效保护电路,避免由于电压尖峰而造成的损坏。此外,其低温漂动特性和优良的热管理能力确保了在长期工作中器件的可靠性。
总体来说,STD4N62K3是一款兼具高性能和可靠性的N通道MOSFET,适合各种高压、高效能的电子设计。该器件能够满足工业、消费电子及通讯设备等领域对电源管理的严格要求,是现代电子产品中不可或缺的基础元件。借助其高耐压、优良的导通特性和宽广的温度应用范围,标准化的DPAK封装使得其在生产与设计过程中提供了极大的便利。无论是在功率转换还是在开关控制方面,STD4N62K3都能为用户提供高效且可靠的解决方案。