驱动配置 | 低端 | 通道类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道,P 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 4V ~ 14V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 1V,4V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 2A,2A | 输入类型 | 非反相 |
上升/下降时间(典型值) | 14ns,15ns | 工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
概述
TPS2812DR 是德州仪器(Texas Instruments,简称 TI)推出的一款高性能栅极驱动芯片,专为高效驱动 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 设计,主要应用于电源管理和功率转换领域。该芯片能够在广泛的电压范围内(4V ~ 14V)工作,适合多种低端驱动配置,提供出色的输入和输出特性,确保高效的开关操作和可靠的系统性能。
关键特性
通道类型与驱动配置:
逻辑电压门限:
电流输出能力:
快速开关特性:
工作温度范围:
封装与安装类型:
应用领域
TPS2812DR 的设计可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
总结
TPS2812DR 是一款高效、可靠的驱动芯片,适用于多种需要快速开关和高驱动电流的电源设计。其优秀的性能参数和广泛的应用潜力使其成为电子工程师的重要选择。无论是在创建高效电源系统,还是在实施复杂的功率控制方案,TPS2812DR 都能帮助设计师优化设计、提升性能,并满足现代电子产品日益增长的需求。