FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 41 毫欧 @ 6.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 80nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3220pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
产品简介
IRF7241TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高效能电源管理和开关领域设计。该元件具有广泛的应用潜力,可用于电源转换电路、马达驱动、负载开关及其他需要控制高电流和高电压的电子设备。其主要特点包括:最高漏源电压 (Vdss) 为 40V、连续漏极电流 (Id) 可达 6.2A、以及优良的导通电阻性能。
基本参数
这款 MOSFET 的基础参数包括:
功率与热管理
IRF7241TRPBF 的功率耗散能力达 2.5W,适合多种负载条件下运行。此外,其工作温度范围为 -55°C 到 150°C,确保在极端条件下仍能保持优良的性能稳定性。良好的热管理特性使其在不同环境中具有可靠性。
封装与安装
本器件采用了表面贴装型 SO-8 封装。这种封装类型的优点在于其较小的占板面积和良好的散热性能,适合现代电子产品的小型化设计需求。SOIC 封装的稳定性和易于自动化安装也为生产提供了便利。
应用场景
IRF7241TRPBF 可广泛应用于电源管理电路中,如开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、以及其它需要进行高效能电流控制的应用领域。此外,其低导通电阻和高电流承载能力使其在马达驱动和负载控制方面表现优越。
总结
综合以上参数与特性,IRF7241TRPBF 是一款理想的解决方案,适合高效能电源管理和开关应用。其在各种电气特性上的优越表现,使其能够有效实施电流控制,满足现代电子设备日益增长的性能要求。英飞凌作为一个著名的半导体制造商,提供这一电子元器件,确保了高品质与可靠性,非常适合有高性能需求的工程项目。