IRF7241TRPBF 产品实物图片
IRF7241TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF7241TRPBF

商品编码: BM0148656964
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.275g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 40V 6.2A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
5.49
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.49
--
100+
¥4.58
--
1000+
¥4.24
--
2000+
¥4.03
--
4000+
¥3.84
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7241TRPBF参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)41 毫欧 @ 6.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)80nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3220pF @ 25V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

IRF7241TRPBF手册

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IRF7241TRPBF概述

IRF7241TRPBF 产品概述

产品简介

IRF7241TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高效能电源管理和开关领域设计。该元件具有广泛的应用潜力,可用于电源转换电路、马达驱动、负载开关及其他需要控制高电流和高电压的电子设备。其主要特点包括:最高漏源电压 (Vdss) 为 40V、连续漏极电流 (Id) 可达 6.2A、以及优良的导通电阻性能。

基本参数

这款 MOSFET 的基础参数包括:

  • 漏源电压 (Vdss): 最高 40V,适合在中等电压范围应用。
  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境下可以持续驱动 6.2A 的电流,这使其适用于多种电力管理和控制应用场合。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动电压下,最大导通电阻为 41 毫欧,能够有效降低导通损耗。
  • 栅阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 3V,表现出较优秀的开关性能,低阈值电压使其在低电压驱动条件下仍能良好工作。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 80nC 在 10V 驱动时,表明其开关速度较快,适合高频开关应用。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 3220pF,在 25V 下提供良好的频率响应。

功率与热管理

IRF7241TRPBF 的功率耗散能力达 2.5W,适合多种负载条件下运行。此外,其工作温度范围为 -55°C 到 150°C,确保在极端条件下仍能保持优良的性能稳定性。良好的热管理特性使其在不同环境中具有可靠性。

封装与安装

本器件采用了表面贴装型 SO-8 封装。这种封装类型的优点在于其较小的占板面积和良好的散热性能,适合现代电子产品的小型化设计需求。SOIC 封装的稳定性和易于自动化安装也为生产提供了便利。

应用场景

IRF7241TRPBF 可广泛应用于电源管理电路中,如开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、以及其它需要进行高效能电流控制的应用领域。此外,其低导通电阻和高电流承载能力使其在马达驱动和负载控制方面表现优越。

总结

综合以上参数与特性,IRF7241TRPBF 是一款理想的解决方案,适合高效能电源管理和开关应用。其在各种电气特性上的优越表现,使其能够有效实施电流控制,满足现代电子设备日益增长的性能要求。英飞凌作为一个著名的半导体制造商,提供这一电子元器件,确保了高品质与可靠性,非常适合有高性能需求的工程项目。