FDS6679AZ
FDS6679AZ参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.3 毫欧 @ 13A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±25V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 96nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3845pF @ 15V | 基本产品编号 | FDS66 |
FDS6679AZ手册
FDS6679AZ概述
FDS6679AZ 产品概述
FDS6679AZ 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高性能 P 型场效应管（MOSFET），属于其 PowerTrench® 系列。此器件以其卓越的电气性能和广泛的应用适应性，成为众多电子设计中的理想选择。以下将对其关键参数、应用场景及设计考虑进行详细说明。
关键参数
器件类型：FDS6679AZ 是一种 P 通道 MOSFET，适合用于低压、高电流的电源管理应用。其额定漏极电压（Vds）为 30V，最高连续漏极电流（Id）可达到 13A，这使其适用于多种电源和开关应用。
导通电阻：在 10V 的栅极驱动电压下，FDS6679AZ 的最大导通电阻（Rds(on)）为 9.3 毫欧，这意味着在高电流下具有极低的功率损耗，从而提高整体系统的能效。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：FDS6679AZ 的最大阈值电压为 3V（在 250µA 电流下测量）。这表明其在低电压应用中也能有效工作，并且增强了其在电源启停控制中的灵活性。
功率耗散：器件的最大功率耗散为 2.5W（在环境温度为 25°C 时）。这使得 FDS6679AZ 能够在高功率环境下稳定运行，满足许多工业和消费电子设备的需求。
工作温度范围：FDS6679AZ 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适合于严苛环境下的应用。此外，它的表面贴装形式（SO-8 封装）使其在空间有限的设计中拥有良好的适用性。
输入和输出特性：
- 输入电容 (Ciss)：在 15V 的条件下，其输入电容最大可达 3845pF，这有助于确保高频率下的稳定工作。
- 栅极电荷 (Qg)：最大栅极电荷为 96nC，对于快速开关动作至关重要，能够降低开关损耗，提高系统效率。
应用场景
FDS6679AZ 的出色特性使其广泛应用于以下几类场景：
电源管理：在 DC-DC 转换器、线性稳压器和电源开关等电源管理模块中，FDS6679AZ 以其低导通电阻和高电流承载能力，能够高效地控制电流通断，从而提高电源的整体效率。
电机驱动：在直流电动机、步进电动机等的驱动电路中，该MOSFET提供了高效的开关控制，保证电机运行时的瞬时电流特性，且有助于降低热量的产生和提高系统的稳定性。
负载开关：FDS6679AZ 也非常适合用于各种负载的控制，如照明、加热和马达驱动等应用，通过有效的开关行为，能够提升系统的响应速度和可靠性。
无线通信：在一些高频应用中，FDS6679AZ 的较低输入电容和快速开关特性使其适合用作射频开关、调制解调器等通讯设备中的信号放大和开关操作。
设计考虑
在设计使用 FDS6679AZ 的电路时，工程师需考虑以下因素：
- 散热管理：由于功耗是设计的重要因素，适当的散热措施将有助于提高器件的长期稳定性。
- 驱动电压选择：需根据应用需求选择合适的栅极驱动电压，以确保 MOSFET 的正常打开和关闭。
- 布局与走线：合理的 PCB 布局和走线设计能够帮助降低寄生电容和感抗，确保信号的完整性。
总体而言，FDS6679AZ 是一款高效、可靠的 P 通道 MOSFET，适用于各种要求严苛的电源管理和负载开关应用，能够为现代电子设备的发展提供强有力的支持。