制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 115mV @ 200mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,2V | 频率 - 跃迁 | 150MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
功率 - 最大值 | 460mW | 基本产品编号 | NSS402 |
产品简介
NSS40201LT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款高性能 NPN 晶体管,封装采用紧凑的 SOT-23-3(TO-236)结构,非常适合用于对空间要求较高的电子电路中。这款晶体管凭借其优异的电气特性和工作温度范围,广泛应用于开关电源、射频放大器、数据线驱动和低功耗应用等领域。
NSS40201LT1G 的设计使其在多种工作条件下都能提供良好的性能。它的集电极截止电流最大值为 100nA,意味着在关断状态下几乎不会漏电流,大大提高了电路的能效。同时,直流电流增益 (hFE) 的最小值为 200,保证了在不同负载情况下信号放大的一致性与可靠性。
该晶体管承受的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,意味着 NSS40201LT1G 在各种恶劣环境条件下均能稳定工作,适合各种工业、汽车和通信配件的应用。如此广泛的温度范围也降低了因环境变化而导致的元器件性能突变的风险。
NSS40201LT1G 采用 SOT-23-3 封装,具有低占板面积和适合表面贴装的特点。该封装设计确保了良好的散热性能和低的寄生电感,适合高频信号处理。此外,卷带包装(TR)便于在生产线上进行大规模的自动化焊接,有效提升生产效率。
NSS40201LT1G 的应用场景包括:
NSS40201LT1G 是一款功能强大、性能稳定的 NPN 晶体管,适合用于多种高性能电子应用。其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围,使其在现代电子产品设计中日益受到青睐。ON Semiconductor 提供的此款产品,无疑提升了设计工程师在选择适合电子元器件时的效率和灵活性。如果您的应用需求包括高频、大电流和能效优化,NSS40201LT1G 将是一个理想的选择。