功率(Pd) | 1.4W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 90pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V,4.1A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 625pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 4.1A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
LP3407LT1G是一款高效的P沟道场效应管,专为低电压和中电流应用设计,具有优良的开关特性和良好的热性能。在众多电子产品中,它被广泛应用于电源管理、信号开关、负载控制及其他需要高开关效率的电路中。
最大额定值:
优秀的开关性能:
热性能:
LP3407LT1G的设计使其适用于广泛的应用场景:
LP3407LT1G凭借其优异的性能和灵活的应用,成为中小型电子设备中不可或缺的元件之一。其30V的额定电压和4.1A的电流能力,适合用于多种低压和中小负载电路的需求。同时,借助其SOT-23封装和出色的热性能,LP3407LT1G能够在较为紧凑的空间内有效散热,保证长时间运行的可靠性。
无论是在工程研发还是量产阶段,LP3407LT1G都是一个值得信赖的选择,为各种电子项目的顺利进行提供强有力的支持。