LP3407LT1G 产品实物图片
LP3407LT1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

LP3407LT1G

商品编码: BM0148617614
品牌 : 
LRC(乐山无线电)
封装 : 
SOT-23(SOT-23-3)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.1A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
8677(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.292
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.292
--
200+
¥0.189
--
1500+
¥0.164
--
3000+
¥0.145
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

LP3407LT1G参数

功率(Pd)1.4W反向传输电容(Crss@Vds)90pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@10V,4.1A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)11nC@10V
漏源电压(Vdss)30V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)625pF@15V连续漏极电流(Id)4.1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA

LP3407LT1G手册

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LP3407LT1G概述

产品概述:LP3407LT1G P沟道场效应管 (MOSFET)

一、基本信息

  • 型号:LP3407LT1G
  • 功能:P沟道场效应管 (MOSFET)
  • 功率:1.4W
  • 电压:30V
  • 电流:4.1A
  • 封装形式:SOT-23 (SOT-23-3)
  • 品牌:LRC (乐山无线电)

二、产品介绍

LP3407LT1G是一款高效的P沟道场效应管,专为低电压和中电流应用设计,具有优良的开关特性和良好的热性能。在众多电子产品中,它被广泛应用于电源管理、信号开关、负载控制及其他需要高开关效率的电路中。

三、技术特性

  1. 最大额定值

    • 漏极-源极电压 (Vds):LP3407LT1G可以承受最高30V的电压,使其可以在多种电压应用中稳定工作。
    • 最大漏极电流 (Id):其最大工作电流为4.1A,适合用于家庭电器、LED驱动和其他中小功率设备。
    • 功率耗散:最大功率耗散为1.4W,在合理的散热条件下,能够保证器件在高功率负载下稳定运行。
  2. 优秀的开关性能

    • 该MOSFET具有较低的导通电阻 (Rds(on)),可以减少能量损失,提高整体系统的效率。
    • 其快速的开关特性使其在高频应用中表现优异,降低了开关损耗,因此很适合在开关电源和其它高频电路中使用。
  3. 热性能

    • 封装采用SOT-23形式,有效散热,适合于温度要求严格的应用环境。
    • MOSFET的热稳定性和安全特性,确保在高负载条件下长寿命运行。

四、应用领域

LP3407LT1G的设计使其适用于广泛的应用场景:

  • 开关电源:可用于DC-DC转换器,在电力转换的过程中实现高效能量管理。
  • 电机控制:可用于小型电机的开关,提供精确控制,比如在风扇控制和电动工具中。
  • LED驱动:可控LED灯的驱动电路,通过MOSFET的快速开关实现调光和亮度调节。
  • 负载开关:用于家庭电器的开关电路,控制电流流向,从而实现设备的开启和关闭。

五、结论

LP3407LT1G凭借其优异的性能和灵活的应用,成为中小型电子设备中不可或缺的元件之一。其30V的额定电压和4.1A的电流能力,适合用于多种低压和中小负载电路的需求。同时,借助其SOT-23封装和出色的热性能,LP3407LT1G能够在较为紧凑的空间内有效散热,保证长时间运行的可靠性。

无论是在工程研发还是量产阶段,LP3407LT1G都是一个值得信赖的选择,为各种电子项目的顺利进行提供强有力的支持。