NTR4503NT1G
NTR4503NT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 420mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250pF @ 24V |
| 基本产品编号 | NTR450 |
NTR4503NT1G手册
NTR4503NT1G概述
产品概述：NTR4503NT1G
NTR4503NT1G 是一款连接在高性能电子电路设计中不可或缺的 N 通道 MOSFET，由著名的半导体制造商 ON Semiconductor（安森美）生产。这款器件凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围，使其适用于各种应用场景，包括电源管理、开关电源、马达驱动、负载开关和信号放大等。
主要特性：
类型和封装： NTR4503NT1G 是一款 N 通道 MOSFET，采用小型、表面贴装的 SOT-23-3（TO-236）封装。该封装不仅可以显著节省PCB空间，还便于自动化贴装，适合高密度电路的设计需求。
电压与电流规格： 该 MOSFET 的最大漏源电压（Vdss）为 30V，能够支持多种低压应用。同时，1.5A 的连续漏极电流 (Id) 使其在负载开关和电源管理中可以处理较高的电流需求。
导通电阻及驱动电压： 在 2.5A 和 10V 的条件下，NTR4503NT1G 的最大导通电阻（Rds(on)）为 110 mΩ，这意味着在开关状态时具有非常低的功耗，从而提高了系统的整体能效。此外，器件的驱动电压可在 4.5V 和 10V 范围内工作，允许设计工程师根据实际需求选择适当的驱动电压进行优化。
开关特性： 在 10V 的栅压下，栅极电荷（Qg）最大值为 7nC，结合输入电容（Ciss）最大值为 250pF @ 24V，这使得这款 MOSFET 在高频开关应用中具备良好的性能表现，能够有效减少开关损耗，提高传输效率。
工作温度范围： NTR4503NT1G 支持的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，能够在极端环境下稳定工作，这使其非常适合航空航天、军事和工业控制等需要可靠性的应用场景。
功率耗散： 最大功率耗散值为 420mW (Ta)，为设计者提供了明确的热管理指导，确保器件在持续工作中的散热可控，从而延长产品的使用寿命。
应用场景：
NTR4503NT1G 的特性使其非常适合于以下几个主要应用场合：
- 开关电源 (SMPS)：在开关电源中，低导通电阻和快速开关特性能够提高转换效率，同时降低能量损耗。
- 负载开关：可用于低功耗设备的负载控制，在手机、便携式电子设备等需要高能效的产品中体现其优势。
- 马达驱动：在电机驱动电路中，能够有效控制电机启动和停止，从而实现电机的高效驱动。
总结：
NTR4503NT1G N 通道 MOSFET 具有卓越的电气性能和优越的工作温度范围，使其能够广泛应用于多种领域的高性能电路中。无论是高频开关、电源管理，还是负载开关和马达驱动，其低导通电阻、适应性的驱动电压和可靠的工作温度范围都为电路设计师提供了极大的设计灵活性。凭借 ON Semiconductor 品牌的可信赖性和高品质，该产品必将为用户带来优异的性能与可靠性。